SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
ES1GLH Taiwan Semiconductor Corporation Es1glh 0,2565
RFQ
 ECAD 7663 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES1GLHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
HS3DH Taiwan Semiconductor Corporation HS3DH 0,2152
RFQ
 ECAD 4396 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS3DHTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
SK515C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK515C M6 -
RFQ
 ECAD 6060 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK515CM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 5 a 300 мк -при 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZT52B8V2-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2-G 0,0461
RFQ
 ECAD 9302 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52b 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B8V2-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 700 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
TSS40L-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS40L-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 6580 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) ШOTKIй 1005 - 1801-tss40l-f0rwg Управо 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 1 V @ 40 май 5 млн 200 na @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
HS1KLWH Taiwan Semiconductor Corporation HS1KLWH 0,4600
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
BZV55C27 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C27 L1G -
RFQ
 ECAD 5550 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 20 v 27 80 ОМ
MUR310S R7 Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S R7 -
RFQ
 ECAD 6199 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR310SR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 875 MV @ 3 A 25 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
BZT52C24-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24-G RHG 0,0449
RFQ
 ECAD 1206 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 16,8 24 70 ОМ
BZX79C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C51 0,0333
RFQ
 ECAD 8890 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79C51TR Ear99 8541.10.0050 20 000 1,5 Е @ 100 мая 50 Na @ 35,7 51 180 ОМ
S1BLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1blhr3g -
RFQ
 ECAD 3985 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
MBR20H150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H150CTH 1.0596
RFQ
 ECAD 2496 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR20 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR20H150CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 970 мВ @ 20 a 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C.
ESH3C R7 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3C R7 -
RFQ
 ECAD 1963 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ESH3CR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 3 a 20 млн 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
FR105GH Taiwan Semiconductor Corporation FR105GH 0,0626
RFQ
 ECAD 8553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-FR105GHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBR25150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR25150CTH 1.3584
RFQ
 ECAD 7672 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR25150 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR25150CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 25 а 1,02 В @ 25 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
SS1H6LW Taiwan Semiconductor Corporation SS1H6LW 0,1011
RFQ
 ECAD 4706 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS1H6 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS1H6LWTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 500 NA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
1PGSMB5954 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5954 0,1689
RFQ
 ECAD 7851 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ 1pgsmb59 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 121,6 160 700 ОМ
SR510H Taiwan Semiconductor Corporation SR510H 0,2021
RFQ
 ECAD 7060 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR510 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
MBRS1045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045CT-Y 0,4428
RFQ
 ECAD 5442 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1045 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS1045CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 10 часов 800 м. @ 10 A 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
RS1ALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1alhrtg -
RFQ
 ECAD 2525 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ5V6SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SC 0,0305
RFQ
 ECAD 5074 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj5 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ5V6SCTR Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк. 5,6 В. 60 ОМ
BZS55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C6V2 0,0340
RFQ
 ECAD 2188 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZS55C6V2TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
SFS1003G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1003G MNG -
RFQ
 ECAD 3118 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFS1003 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 975 MV @ 5 A 35 м 1 мка При 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 70pf @ 4V, 1 мгха
SSL32 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 R6 -
RFQ
 ECAD 4134 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SSL32R6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 410 мВ @ 3 a 200 мк @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
BZY55B22 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b22 0,0491
RFQ
 ECAD 3655 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55b22tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 16 v 22 55 ОМ
1PGSMA4748 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4748 R3G -
RFQ
 ECAD 1850 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4748 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4,7 22 23 ОМ
SS22L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RQG -
RFQ
 ECAD 4979 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZT55C39 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C39 L1G -
RFQ
 ECAD 1938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 28 39 90 ОМ
BZD17C75P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RFG -
RFQ
 ECAD 5704 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 75 100 ОМ
BZD17C39P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P RFG -
RFQ
 ECAD 8667 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть