SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZD27C110PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C110PH 0,3075
RFQ
 ECAD 8544 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD27C110PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 82 110 250 ОМ
MBR1045CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045CTH 0,5037
RFQ
 ECAD 1147 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR1045 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR1045CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 10 часов 800 м. @ 10 A 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
SS310LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS310LHMTG -
RFQ
 ECAD 4124 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS310 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S4G R6G Taiwan Semiconductor Corporation S4G R6G -
RFQ
 ECAD 9825 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S4GR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,15 - @ 4 a 1,5 мкс 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 60pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V2 0,0412
RFQ
 ECAD 2419 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C6V2TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 2,7 мка 4- 6,2 В. 10 ОМ
MTZJ10SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ10SB R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 6622 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj10 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 7 v 9.66 V. 30 ОМ
RS5G-T Taiwan Semiconductor Corporation RS5G-T 0,2496
RFQ
 ECAD 7864 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS5G-TTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 5 a 150 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 57pf @ 4V, 1 мгха
HS1GF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS1GF-T 0,1037
RFQ
 ECAD 6119 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1GF-TTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 w @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 11pf @ 4V, 1 мгха
BZS55C20 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C20 0,0343
RFQ
 ECAD 6530 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZS55C20TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 15 V 20 55 ОМ
TUAS6JH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas6jh 0,2121
RFQ
 ECAD 2449 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tuas6 Станода SMPC4.6U СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801 tuas6jhtr Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1.1 V @ 6 a 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 43pf @ 4V, 1 мгест
HS2KFL Taiwan Semiconductor Corporation HS2KFL 0,0920
RFQ
 ECAD 2480 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS2Kfltr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
HDBLS104GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS104GH 0,4257
RFQ
 ECAD 3141 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HDBLS104GHTR Ear99 8541.10.0080 3000 1,3 V @ 1 a 5 мка 400 1 а ОДИНАНАНА 400
RDBLS207G C1G Taiwan Semiconductor Corporation RDBLS207G C1G -
RFQ
 ECAD 4835 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло RDBLS207 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1,15 h @ 2 a 2 мка рри 1000 2 а ОДИНАНАНА 1 к
FR202G Taiwan Semiconductor Corporation FR202G -
RFQ
 ECAD 8312 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода DO-204AC (DO-15) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-FR202GTR Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
B0540W Taiwan Semiconductor Corporation B0540W 0,0878
RFQ
 ECAD 8862 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 B0540 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-B0540WTR Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 510 мВ @ 500 мая 20 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 170pf @ 0v, 1 мгест
DBLS156GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS156GHC1G -
RFQ
 ECAD 6359 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS156 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1,1 В @ 1,5 А. 2 мк 1,5 а ОДИНАНАНА 800 В
RMB2S Taiwan Semiconductor Corporation RMB2S 0,6400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-besop (0,173 », ширина 4,40 мм) RMB2 Станода Мбс СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 1 V @ 2 A 5 мка При 200 800 млн ОДИНАНАНА 200
ABS8 Taiwan Semiconductor Corporation ABS8 0,1599
RFQ
 ECAD 5403 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло ABS8 Станода Абс СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 950 м. 10 мк. 800 млн ОДИНАНАНА 800 В
YBS3004G Taiwan Semiconductor Corporation YBS3004G 0,8800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, Плоскилили YBS3004 Станода YBS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 1.1 V @ 3 a 5 мка 400 3 а ОДИНАНАНА 400
DBL203GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL203GHC1G -
RFQ
 ECAD 5524 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DBL203 Станода DBL СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1,15 h @ 2 a 2 мка При 200 2 а ОДИНАНАНА 200
GBPC50005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC50005M T0G -
RFQ
 ECAD 4311 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC40-M GBPC50005 Станода GBPC40-M СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 25 A 10 мк -прри 50 50 а ОДИНАНАНА 50
TS6P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P06GHC2G -
RFQ
 ECAD 1912 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS6P06 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 6 a 10 мк. 6 а ОДИНАНАНА 800 В
PUUP4DH Taiwan Semiconductor Corporation Puup4dh 0,8700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 930 мВ @ 4 a 25 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 71pf @ 4V, 1 мгха
MBR2060PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060PTH 1.5671
RFQ
 ECAD 2682 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR2060 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR2060PTH Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 950 мВ @ 20 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
GBL06 Taiwan Semiconductor Corporation GBL06 1.2200
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBL GBL06 Станода Герб СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 A 5 мк. 4 а ОДИНАНАНА 600
GBL205 Taiwan Semiconductor Corporation GBL205 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBL GBL205 Станода Герб СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 A 5 мк. 2 а ОДИНАНАНА 600
MBRS10150 Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150 0,5250
RFQ
 ECAD 3116 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS10150 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS10150TR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
DBLS105G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS105G 0,6400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS105 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 1.1 V @ 1 a 2 мка При 600 В 1 а ОДИНАНАНА 600
GBU607 Taiwan Semiconductor Corporation GBU607 1.3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU GBU607 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 1В @ 1,5 а 5 мк -пр. 1000 6 а ОДИНАНАНА 1 к
DBLS102G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102G 0,3825
RFQ
 ECAD 4467 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS102 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 1.1 V @ 15 A 2 мк 1 а ОДИНАНАНА 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть