SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZX79C9V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C9V1 A0G -
RFQ
ECAD 5399 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 500 NA @ 6 V 9.1. 15 О
HERF1007GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1007GH 0,6029
RFQ
ECAD 2533 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Herf1007GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 800 В 10 часов 1,7 - @ 5 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BAT54AW Taiwan Semiconductor Corporation BAT54AW 0,0466
RFQ
ECAD 4497 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 BAT54 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bat54awtr Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 30 200 май 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 125 ° С
HER157G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER157G B0G -
RFQ
ECAD 9682 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER157 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1В @ 1,5 а 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
1N5401GH Taiwan Semiconductor Corporation 1n5401gh -
RFQ
ECAD 3078 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1N5401GHTR Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 3 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C150PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHRUG -
RFQ
ECAD 5903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 110 147 В 300 ОМ
RSFALHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalhrqg -
RFQ
ECAD 5646 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFAL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SS16L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L MHG -
RFQ
ECAD 8548 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS16 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SFAF1606G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1606G -
RFQ
ECAD 2175 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFAF1606G Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 16 A 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 100pf @ 4V, 1 мгха
TSZL52C6V8-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C6V8-F0 RWG -
RFQ
ECAD 5585 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) 200 м 1005 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TSZL52C6V8-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
1PGSMC5354H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5354H 0,3459
RFQ
ECAD 6322 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMC53 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 12,9 17 3 О
SR009H Taiwan Semiconductor Corporation SR009H -
RFQ
ECAD 7779 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR009HTR Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 65pf @ 4V, 1 мгест
SK82C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK82C R6 -
RFQ
ECAD 2934 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK82CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
FR154GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR154GHB0G -
RFQ
ECAD 1306 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR154 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
TSP15H200S Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H200S 1.5900
RFQ
ECAD 5307 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSP15 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 890mw @ 15 a 150 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
MTZJ6V8SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ6V8SA R0G 0,0305
RFQ
ECAD 7294 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj6 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 2 мк 6,46 В. 20 ОМ
F1T3GH Taiwan Semiconductor Corporation F1T3GH -
RFQ
ECAD 6634 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос Станода TS-1 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-F1T3GHTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
S1J-KR2G Taiwan Semiconductor Corporation S1J-KR2G -
RFQ
ECAD 5712 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
HS1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JLW RVG 0,1278
RFQ
ECAD 4841 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W HS1J Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
BZX55C10 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C10 A0G -
RFQ
ECAD 2159 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 100 na @ 7,5 10 15 О
SRAF1620HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1620HC0G -
RFQ
ECAD 3928 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SRAF1620 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 16 A 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 16A -
BZD27C130PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHG -
RFQ
ECAD 2080 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
BZX85C7V5 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C7V5 A0G -
RFQ
ECAD 1900 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 10 мая 1 мка 4,5 7,5 В. 3 О
S1DBH Taiwan Semiconductor Corporation S1DBH 0,0964
RFQ
ECAD 8381 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S1d Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SR009 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009 R0G -
RFQ
ECAD 2379 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR009 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 65pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMA200ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA200ZHR3G 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma200 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 152 200 1500 ОМ
BZD27C13P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P RTG -
RFQ
ECAD 9291 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 2 мка При 10в 13,25 В. 10 ОМ
BZT52B20S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B20S RRG -
RFQ
ECAD 7258 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 Na @ 14 V 20 55 ОМ
SFAF1607GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1607GHC0G -
RFQ
ECAD 8019 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF1607 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 16 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 100pf @ 4V, 1 мгха
HS1GL MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL MHG -
RFQ
ECAD 6297 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе