SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
DBLS208G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS208G 0,2997
RFQ
ECAD 5184 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS208 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 1,3 V @ 2 a 2 мка При 1200 В 2 а ОДИНАНАНА 1,2 кв
BZD17C220P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P R3G 0,5250
RFQ
ECAD 3096 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 160 220 900 ОМ
EABS1JH Taiwan Semiconductor Corporation EABS1JH 0,3912
RFQ
ECAD 3152 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло EABS1 Станода Абс СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 1,7 - @ 1 a 1 мка При 600 1 а ОДИНАНАНА 600
SK82C Taiwan Semiconductor Corporation SK82C -
RFQ
ECAD 4528 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK82Ctr Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
RS3J M6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3J M6G -
RFQ
ECAD 1217 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1.3 V @ 3 a 250 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1N4752A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752A R1G -
RFQ
ECAD 3914 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4752 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 33 В 45 ОМ
BZD27C27PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PW 0,1092
RFQ
ECAD 5873 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка 4 20 27 15 О
SS13M RSG Taiwan Semiconductor Corporation SS13M RSG 0,3800
RFQ
ECAD 250 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. SS13 ШOTKIй МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 520 мВ @ 1 a 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
ES3DVHR7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3DVHR7G -
RFQ
ECAD 5022 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Es3d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 20 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C75PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHRVG 0,2933
RFQ
ECAD 6496 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
S2M Taiwan Semiconductor Corporation S2M 0,4100
RFQ
ECAD 7813 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S2M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,15 h @ 2 a 1,5 мкс 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 30pf @ 4V, 1 мгест
HS3D M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3D M6 -
RFQ
ECAD 6501 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3DM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C22P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22P M2G -
RFQ
ECAD 2478 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 16 22,05 В. 15 О
SR305 Taiwan Semiconductor Corporation SR305 -
RFQ
ECAD 5774 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR305TR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
MBR2045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045CT 1,3000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR2045 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 20 часов 840 мВ @ 20 a 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
2M47Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M47Z 0,1565
RFQ
ECAD 5713 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M47 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 35,8 47 В 40 ОМ
1N4758A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4758a 0,1118
RFQ
ECAD 6677 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4758 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 42,6 56 110 ОМ
ZM4736A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4736A 0,0830
RFQ
ECAD 7385 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF ZM4736 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Zm4736atr Ear99 8541.10.0050 5000 10 мка @ 4 6,8 В. 3,5 ОМ
TSZU52C30 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C30 RGG 0,0669
RFQ
ECAD 8317 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 23 В 30 80 ОМ
SS39 M6 Taiwan Semiconductor Corporation SS39 M6 -
RFQ
ECAD 2074 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS39M6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BZT55B3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V0 L1G -
RFQ
ECAD 3888 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 4 мка @ 1 В 3 В 85 ОМ
BZD27C8V2PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHMHG -
RFQ
ECAD 5194 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 8,2 В. 2 О
PUAD8DH Taiwan Semiconductor Corporation Puad8dh 0,9100
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PUAD8 Станода ТИНДПАК - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 8 A 25 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. 101pf @ 4V, 1 мгха
ES1AL MTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1al Mtg -
RFQ
ECAD 9550 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1a Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 1V, 1 мгха
RS1MHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1MHR3G -
RFQ
ECAD 2133 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA RS1M Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SR002HR1G Taiwan Semiconductor Corporation SR002HR1G -
RFQ
ECAD 2638 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR002 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 110pf @ 4V, 1 мгновение
SS15L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L Rtg -
RFQ
ECAD 9956 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
RSFDL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL Mtg -
RFQ
ECAD 6152 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFDL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
DBLS202G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS202G RDG -
RFQ
ECAD 4102 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS202 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 1,15 h @ 2 a 2 мк 2 а ОДИНАНАНА 100
TUAS8JH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas8jh 0,2466
RFQ
ECAD 8011 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tuas8 Станода SMPC4.6U СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801 tuas8jhtr Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 8 A 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 62pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе