SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZD27C27P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27P MQG -
RFQ
ECAD 3610 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
HS1DLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1DLH 0,2378
RFQ
ECAD 2855 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1DLHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
MBRF2590CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2590CT C0G -
RFQ
ECAD 6569 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF2590 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 25 а 920 м. @ 25 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1N5399G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G B0G -
RFQ
ECAD 7393 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5399 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1В @ 1,5 а 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
SK83C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK83C R6 -
RFQ
ECAD 5084 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK83CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
MBRF1660 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1660 -
RFQ
ECAD 3933 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBRF1660 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
S1ALHRFG Taiwan Semiconductor Corporation S1Alhrfg -
RFQ
ECAD 7108 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
UDZS9V1B Taiwan Semiconductor Corporation Udzs9v1b 0,0416
RFQ
ECAD 9488 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Udzs9v1 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-udzs9v1btr Ear99 8541.10.0050 6000 450 NA @ 6 V 9.1. 30 ОМ
MTZJ2V4SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V4SB R0G 0,0305
RFQ
ECAD 8282 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj2 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 120 мк -перо 1 2,53 В. 100 ОМ
MBRF2545CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation Mbrf2545ct-y 0,6949
RFQ
ECAD 5983 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF2545 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRF2545CT-Y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 25 а 820 м. @ 25 A 200 мк @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
MTZJ16SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ16SC R0G 0,0305
RFQ
ECAD 8103 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj16 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 12 v 16.1 v 40 ОМ
RS3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3B V6G -
RFQ
ECAD 3978 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 150 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
PU2BBH Taiwan Semiconductor Corporation PU2BBH 0,4500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 930 мВ @ 2 a 25 млн 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 33pf @ 4V, 1 мгест
BZV55B2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V7 0,0361
RFQ
ECAD 6184 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B2V7TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 10 мка @ 1 В 2,7 В. 85 ОМ
RSFJL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL RQG -
RFQ
ECAD 9741 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Rsfjl Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 @ 500 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
BZY55B20 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b20 0,0486
RFQ
ECAD 7100 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55b20tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 15 V 20 55 ОМ
BZD27C180P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P RQG -
RFQ
ECAD 4506 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 130 179,5. 450 ОМ
BZX55C3V0 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V0 0,0287
RFQ
ECAD 1190 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C3V0TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 4 мка @ 1 В 3 В 85 ОМ
BZS55C3V0 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C3V0 RXG 0,0340
RFQ
ECAD 4996 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 4 мка @ 1 В 3 В 85 ОМ
BZT55C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C5V1 0,0350
RFQ
ECAD 4581 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55C5V1TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 1 V 5,1 В. 35 ОМ
BZD27C91P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P R3G -
RFQ
ECAD 3575 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 68 90,5. 200 ОМ
SF48G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF48G B0G -
RFQ
ECAD 8861 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF48 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 4 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 80pf @ 4V, 1 мгха
HS1KLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1KLH 0,2378
RFQ
ECAD 1762 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1Klhtr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZT52B18-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18-G RHG 0,0461
RFQ
ECAD 1901 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52b 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 12,6 18 45 ОМ
SS26LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS26LHMTG -
RFQ
ECAD 4536 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS26 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BAT54A Taiwan Semiconductor Corporation BAT54A 0,0336
RFQ
ECAD 3491 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bat54atr Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -55 ° C ~ 125 ° C. 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
BZX79C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C3V6 0,0287
RFQ
ECAD 9168 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79C3V6TR Ear99 8541.10.0050 20 000 1,5 Е @ 100 мая 15 мк 3,6 В. 90 ОМ
SFF1605GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1605GHC0G -
RFQ
ECAD 2239 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1605 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 50pf @ 4V, 1 мгест
BZX585B20 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B20 RKG -
RFQ
ECAD 3218 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 45 Na @ 14 V 20 55 ОМ
HS1GL RTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RTG -
RFQ
ECAD 2469 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе