SIC
close
Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SK13B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK13B R5G 0,1550
RFQ
ECAD 6352 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK13 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
1SMB5928H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5928H 0,1545
RFQ
ECAD 6566 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5928 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка 4,9 13 7 О
MUR360SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR360SHM6G -
RFQ
ECAD 3598 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR360 Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SFAS1008G Taiwan Semiconductor Corporation SFAS1008G 0,5376
RFQ
ECAD 6663 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS1008 Станода TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFAS1008GTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 10 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
BZX584B6V2 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B6V2 RKG -
RFQ
ECAD 4578 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка @ 4 В 6,2 В. 10 ОМ
SS33 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS33 R7 -
RFQ
ECAD 3759 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS33R7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
1N5404G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404G B0G -
RFQ
ECAD 1480 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5404 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 3 a 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
SR3020PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR3020PTHC0G -
RFQ
ECAD 6890 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SR3020 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 20 30A 550 м. @ 15 A 1 мая @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C.
BZD27C11PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHR3G -
RFQ
ECAD 6428 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 4 мка 4,2 11 7 О
SK35A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK35A M2G -
RFQ
ECAD 3079 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK35 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 720 мВ @ 3 a 200 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S5A M6G Taiwan Semiconductor Corporation S5A M6G -
RFQ
ECAD 2727 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S5A Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
RS2GA Taiwan Semiconductor Corporation RS2GA 0,0731
RFQ
ECAD 7444 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA RS2G Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 50pf @ 4V, 1 мгест
1SMB5939HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5939HR5G -
RFQ
ECAD 4404 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5939 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 29,7 39 45 ОМ
1PGSMB5927H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5927H 0,1798
RFQ
ECAD 1145 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMB59 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка, 9,1 12 6,5 ОМ
HER601G Taiwan Semiconductor Corporation HER601G -
RFQ
ECAD 3986 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй Станода R-6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HER601GTR Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 6 A 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZY55B3V6 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B3V6 RYG -
RFQ
ECAD 6608 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,6 В. 85 ОМ
BZX79B3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B3V9 0,0305
RFQ
ECAD 3073 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79B3V9TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 1 мая @ 10 3,9 В. 90 ОМ
RS1JLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhrqg -
RFQ
ECAD 9412 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 - @ 800 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
SF42GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF42GHR0G -
RFQ
ECAD 4694 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF42 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 4 A 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 100pf @ 4V, 1 мгха
SF34GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF34GHA0G -
RFQ
ECAD 3151 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF34 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C7V5P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P M2G -
RFQ
ECAD 7843 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 3 В 7,45 В. 2 О
BZT55C47 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C47 0,0350
RFQ
ECAD 5220 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55C47TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 na @ 35 47 В 110 ОМ
SS320 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SS320 M6G -
RFQ
ECAD 7455 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS320 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SS25L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L Rtg -
RFQ
ECAD 2604 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS25 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
HS5D M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5D M6 -
RFQ
ECAD 6472 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5DM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 5 A 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD17C180P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C180P KOURER -
RFQ
ECAD 3657 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 130 180 450 ОМ
SS34LW Taiwan Semiconductor Corporation SS34LW 0,3800
RFQ
ECAD 55 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS34 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 200 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SS210LW Taiwan Semiconductor Corporation SS210LW 0,4600
RFQ
ECAD 26 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS210 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 20 мк -пр. 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MUR420S R7 Taiwan Semiconductor Corporation Mur420S R7 -
RFQ
ECAD 4347 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR420SR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 875 MV @ 4 A 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
FR151G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151G B0G -
RFQ
ECAD 7577 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR151 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе