SIC
close
Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
ES1HL Taiwan Semiconductor Corporation Es1hl 0,0975
RFQ
ECAD 9074 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-es1hltr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
SR1690PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1690PT C0G -
RFQ
ECAD 3419 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SR1690 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 16A 900 мВ @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
ES1JLH Taiwan Semiconductor Corporation Es1jlh 0,2603
RFQ
ECAD 1346 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-es1jlhtr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C7V5P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P MTG -
RFQ
ECAD 2519 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 3 В 7,45 В. 2 О
BZD27C47P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P Mtg -
RFQ
ECAD 3893 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
S4B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S4B V6G -
RFQ
ECAD 4037 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S4B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,5 мкс 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 60pf @ 4V, 1 мгест
HS2JAH Taiwan Semiconductor Corporation HS2JAH 0,0948
RFQ
ECAD 1670 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS2JAHTR Ear99 8541.10.0080 15 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1,5 а 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 30pf @ 4V, 1 мгест
M3Z2V7C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2V7C 0,0294
RFQ
ECAD 3841 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F M3Z2 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-M3Z2V7CTR Ear99 8541.10.0050 6000 100 мка @ 1 В 2,7 В. 90 ОМ
1PGSMA4753 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4753 0,1086
RFQ
ECAD 4625 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4753 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27,4 36 50 ОМ
BZD27C130PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHMQG -
RFQ
ECAD 7974 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
SK35BH Taiwan Semiconductor Corporation SK35BH -
RFQ
ECAD 1177 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK35BHTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SS34 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS34 R6G -
RFQ
ECAD 8820 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS34R6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SS315 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS315 R6G -
RFQ
ECAD 3553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS315R6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
UG4D Taiwan Semiconductor Corporation UG4D 0,2745
RFQ
ECAD 5370 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ug4dtr Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 4 a 20 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 35pf @ 4V, 1 мгест
S5G M6 Taiwan Semiconductor Corporation S5G M6 -
RFQ
ECAD 5096 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S5GM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C68PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PHRVG -
RFQ
ECAD 6196 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 51в 68 В 80 ОМ
BZX584B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B9V1 0,0639
RFQ
ECAD 6928 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B9V1TR Ear99 8541.10.0050 104 000 500 NA @ 6 V 9.1. 15 О
BZS55C20 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C20 RXG 0,0340
RFQ
ECAD 8607 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 15 V 20 55 ОМ
TSSA3U60H Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60H 0,2694
RFQ
ECAD 2905 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA TSSA3 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tssa3u60htr Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 540 мВ @ 3 a 25 млн 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 450pf @ 4V, 1 мгновение
HS2GALH Taiwan Semiconductor Corporation HS2Galh 0,1242
RFQ
ECAD 6535 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS2Galhtr Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 50 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
MBRF1045CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1045CTH 0,5176
RFQ
ECAD 3114 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF1045 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRF1045CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 10 часов 800 м. @ 10 A 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
HS1MFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1MFSH 0,0741
RFQ
ECAD 7334 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1MFSHTR Ear99 8541.10.0080 28 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
S5B M6 Taiwan Semiconductor Corporation S5B M6 -
RFQ
ECAD 9725 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S5BM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
HER3L05G Taiwan Semiconductor Corporation HER3L05G 0,6100
RFQ
ECAD 5635 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.32 V @ 3 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 54pf @ 4V, 1 мгест
1N5392G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5392g -
RFQ
ECAD 3722 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода DO-204AC (DO-15) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1N5392gtr Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,1 В @ 1,5 А. 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
ESJLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Esjlwhrvg 0,4300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W ESJLW Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 В @ 800 мая 35 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 19pf @ 4V, 1 мгха
1N4004GR0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GR0 -
RFQ
ECAD 9959 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4004 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 1 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
2M19Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M19Z A0G -
RFQ
ECAD 1951 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M19 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 14,4 19 v 11 О
BZX84C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C7V5 0,0516
RFQ
ECAD 3533 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX84C7V5TR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 1 мка При 5в 7,5 В. 15 О
MTZJ33SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SB R0G 0,0305
RFQ
ECAD 9696 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ33 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 25 v 31.1 V. 65 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе