SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
GP1006H Taiwan Semiconductor Corporation GP1006H 0,5037
RFQ
 ECAD 1490 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 GP1006 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-GP1006H Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 800 В 10 часов 1.1 V @ 5 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С.
ZM4754A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4754A 0,0830
RFQ
 ECAD 2811 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF ZM4754 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ZM4754ATR Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 29,7 39 60 ОМ
1N4749AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4749AHB0G -
RFQ
 ECAD 8244 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4749 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк. 24 25 ОМ
BZT52C12S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12S 0,0504
RFQ
 ECAD 9588 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Bzt52c12str Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 90 Na @ 8 V 12 25 ОМ
RS1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1GL RQG -
RFQ
 ECAD 1206 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
TSZU52C22 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C22 0,0669
RFQ
 ECAD 5737 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tszu52c22tr Ear99 8541.10.0050 20 000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 17 V 22 55 ОМ
BZD17C33P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P 0,2625
RFQ
 ECAD 4828 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C33PTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 24 33 В 15 О
BZX55B22 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B22 0,0301
RFQ
 ECAD 1228 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55B22TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 17 V 22 55 ОМ
1PGSMC5350HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5350HR7G -
RFQ
 ECAD 4679 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4,9 13 3 О
BZT52B51 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B51 RHG 0,0453
RFQ
 ECAD 5938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 35,7 51 180 ОМ
MTZJ30SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ30SB R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 5127 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj30 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 23 V 28,42 В. 55 ОМ
BZD17C12P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P RTG -
RFQ
 ECAD 5235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 3 мк -при 9,1 12 7 О
TS20P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P05G 1.9200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS20P05 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 20 a 10 мк. 20 а ОДИНАНАНА 600
1PGSMB5932H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5932H 0,1798
RFQ
 ECAD 8477 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMB59 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка При 15,2 20 14 ОМ
HS5B R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5B R6 -
RFQ
 ECAD 8713 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5BR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 5 A 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
1N4933GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GH -
RFQ
 ECAD 1973 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1N4933GHTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C6V8-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8-G 0,0445
RFQ
 ECAD 6915 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C6V8-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 2 мка @ 4 В 6,8 В. 15 О
BAT42WS Taiwan Semiconductor Corporation BAT42WS 0,0544
RFQ
 ECAD 3381 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F BAT42 ШOTKIй SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bat42wstr Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 200 MMA 5 млн 500 NA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 май 7pf @ 1V, 1 мгест
SK520CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK520CHR7G -
RFQ
 ECAD 5162 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK520 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
MBRS2060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2060CTH 0,6851
RFQ
 ECAD 5689 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS2060 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS2060Cthtr Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 950 мВ @ 20 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
SS120ALH Taiwan Semiconductor Corporation SS120ALH 0,0862
RFQ
 ECAD 1836 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SS120 ШOTKIй ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS120ALHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.1 V @ 1 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 30pf @ 4V, 1 мгест
SF2005PT Taiwan Semiconductor Corporation SF2005PT 1.3421
RFQ
 ECAD 7974 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF2005 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,5 - @ 20 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 175pf @ 4V, 1 мгха
BZD17C39PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39PH 0,2790
RFQ
 ECAD 3054 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C39PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка 30 30 39 40 ОМ
MBRAD8150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD8150H 0,7300
RFQ
 ECAD 2802 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRAD8150 ШOTKIй ТИНДПАК - Rohs3 1 (neograniчennnый) 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 8 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 155pf @ 4V, 1 мгест
SFS1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SFS1004GH 0,6433
RFQ
 ECAD 8350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFS1004 Станода TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFS1004GHTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 975 MV @ 5 A 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С.
S5GC-K Taiwan Semiconductor Corporation S5GC-K 0,2203
RFQ
 ECAD 5951 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S5GC-KTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,15 Е @ 5 a 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 34pf @ 4V, 1 мгха
2A06G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A06G B0G -
RFQ
 ECAD 2490 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A06 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 2 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
S10JCH Taiwan Semiconductor Corporation S10JCH 0,2379
RFQ
 ECAD 2518 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 10 A 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
SK515CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK515CHR7G -
RFQ
 ECAD 9415 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK515 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 5 a 300 мк -при 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SS39 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SS39 R6 -
RFQ
 ECAD 7644 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS39R6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть