SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MBRF10L100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10L100CTH 0,7348
RFQ
 ECAD 2510 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF10 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRF10L100CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 850 мВ @ 10 a 20 мк -пр. 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
SRF1040H Taiwan Semiconductor Corporation SRF1040H 0,4589
RFQ
 ECAD 6987 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF1040 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRF1040H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 10 часов 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
SRF1060H Taiwan Semiconductor Corporation SRF1060H 0,4589
RFQ
 ECAD 3271 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF1060 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRF1060H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMA5937HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5937HR3G -
RFQ
 ECAD 2337 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5937 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 25,1 33 В 33 О
BZY55C18 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c18 0,0350
RFQ
 ECAD 4025 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c18tr Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 13 v 18 50 ОМ
BZY55B33 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b33 0,0486
RFQ
 ECAD 2350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55b33tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 24 33 В 80 ОМ
BZX79C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C24 0,0287
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79C24TR Ear99 8541.10.0050 20 000 1,5 Е @ 100 мая 50 NA @ 16,8 24 70 ОМ
MUR1620CTH Taiwan Semiconductor Corporation MUR1620CTH 0,7629
RFQ
 ECAD 3786 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MUR1620 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MUR1620CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 16A 975 MV @ 8 A 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C.
SS19LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19LHMTG -
RFQ
 ECAD 8178 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS19 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 800 мВ @ 1 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
1SMA4742HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4742HR3G -
RFQ
 ECAD 4631 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4742 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка, 9,1 12 9 О
BZY55C6V8 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c6v8 0,0350
RFQ
 ECAD 9042 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c6v8tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
SS36ALH Taiwan Semiconductor Corporation SS36ALH 0,1345
RFQ
 ECAD 2765 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SS36 ШOTKIй ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS36ALHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 720 мВ @ 3 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 54pf @ 4V, 1 мгест
BZX85C30 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C30 R0G 0,0645
RFQ
 ECAD 9152 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 10 мая 500 NA @ 22 V 30 30 ОМ
BZD27C15P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P 0,2753
RFQ
 ECAD 5556 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD27C15PTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 11 В 14,7 В. 10 ОМ
UG1007G Taiwan Semiconductor Corporation UG1007G 0,5404
RFQ
 ECAD 7877 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 UG1007 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 500 10 часов 1,7 - @ 5 a 30 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1PGSMC5365HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5365HR7G -
RFQ
 ECAD 5162 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 27,4 36 11 О
TST30H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30H200CW 2.8500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 920 м. @ 15 A 150 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
SS33H Taiwan Semiconductor Corporation SS33H 0,2248
RFQ
 ECAD 9366 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
1N4760A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4760a 0,1118
RFQ
 ECAD 4473 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4760 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк 51,7 68 В 150 ОМ
RS1BL RUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL RUG 0,1812
RFQ
 ECAD 7087 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
BZX79B20 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B20 A0G -
RFQ
 ECAD 5724 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 14 май @ 50 м. 20 55 ОМ
SF1603G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1603G C0G -
RFQ
 ECAD 7155 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1603 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 975 MV @ 8 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZY55B5V6 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b5v6 ryg -
RFQ
 ECAD 3288 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 1 V 5,6 В. 30 ОМ
1PGSMC5356H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5356h 0,3459
RFQ
 ECAD 9620 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMC53 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 14,4 19 v 3 О
BZD27C51PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PHRQG -
RFQ
 ECAD 9499 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 39 51 60 ОМ
ES1DF-T Taiwan Semiconductor Corporation ES1DF-T 0,0967
RFQ
 ECAD 5713 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES1DF-TTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
1N4006GA0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006GA0 -
RFQ
 ECAD 5253 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4006 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 1 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBRF2035HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035HC0G -
RFQ
 ECAD 6792 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 MBRF2035 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 750 м. @ 20 a 200 мк @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
RSFKL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RSFKL RFG -
RFQ
 ECAD 4551 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFKL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SRA10100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA10100 C0G -
RFQ
 ECAD 6867 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 SRA10100 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 10 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть