SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZS55B4V7 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B4V7 RXG -
RFQ
 ECAD 1225 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 500 NA @ 1 V 4,7 В. 70 ОМ
1N4743AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4743ahb0g -
RFQ
 ECAD 7549 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4743 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мка @ 35,8 13 80 ОМ
SS25L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L RUG -
RFQ
 ECAD 2089 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS25 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SS34LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS34lhrvg -
RFQ
 ECAD 7734 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS34 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
BZD27C43PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PHRFG -
RFQ
 ECAD 1917 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 33 43 В. 45 ОМ
UGF5J Taiwan Semiconductor Corporation UGF5J -
RFQ
 ECAD 5073 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UGF5J Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 3 V @ 5 A 25 млн 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
TPMR10JH Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10JH 0,4983
RFQ
 ECAD 6217 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPMR10 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TPMR10JHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,8 В @ 10 a 40 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 140pf @ 4V, 1 мгест
TSZU52C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V9 0,0669
RFQ
 ECAD 4771 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 4,99% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tszu52c3v9tr Ear99 8541.10.0050 20 000 900 мВ @ 10 мая 10 мка @ 1 В 3,9 В. 95 ОМ
BZX79B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B12 0,0305
RFQ
 ECAD 3885 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79B12TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 8 май @ 100 м. 12 25 ОМ
SRF2090 Taiwan Semiconductor Corporation SRF2090 -
RFQ
 ECAD 7191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF2090 ШOTKIй Ito-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SRF2090 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 20А (DC) 920 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZX55B39 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B39 A0G -
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 100 na @ 28 39 90 ОМ
MBRS15150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15150CT 0,7425
RFQ
 ECAD 4733 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS15150 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS15150CTTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 15A 950 мв 7,5 а 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZX55C33 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C33 0,0287
RFQ
 ECAD 3507 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C33TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 24 33 В 80 ОМ
UF4006H Taiwan Semiconductor Corporation UF4006H 0,0977
RFQ
 ECAD 5500 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4006 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
RS1MFL Taiwan Semiconductor Corporation RS1MFL 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F Станода SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 1 a 250 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 11pf @ 4V, 1 мгха
BZY55C27 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c27 0,0350
RFQ
 ECAD 5165 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c27tr Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 20 v 27 80 ОМ
BZY55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c6v2 0,0350
RFQ
 ECAD 4182 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c6v2tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
SK33AH Taiwan Semiconductor Corporation SK33AH 0,1170
RFQ
 ECAD 5858 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK33 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
MUR320SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur320sh 0,2277
RFQ
 ECAD 1591 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 875 MV @ 3 A 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
1PGSMA4760HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4760HR3G 0,4300
RFQ
 ECAD 510 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4760 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 51,7 68 В 150 ОМ
TS25P07G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P07G 2.6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS25P07 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1,1 В @ 1,5 А. 10 мк. 25 а ОДИНАНАНА 1 к
BZD27C24PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHRTG -
RFQ
 ECAD 6478 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
SS13L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS13L Rtg -
RFQ
 ECAD 7420 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS13 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
HER152G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER152G B0G -
RFQ
 ECAD 3379 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER152 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1В @ 1,5 а 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 35pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ22SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ22SC 0,0305
RFQ
 ECAD 7172 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ22 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ22SCTR Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 17 V 21,63 В. 30 ОМ
MBR2050PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2050PTH -
RFQ
 ECAD 8213 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBR2050PTH Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 20А (DC) 950 мВ @ 20 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBR6060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6060PTHC0G -
RFQ
 ECAD 4357 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR6060 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 60A 930 мВ @ 60 a 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
1PGSMB5950 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5950 R5G -
RFQ
 ECAD 4676 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5950 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 83,6 110 300 ОМ
RS2DH Taiwan Semiconductor Corporation RS2DH 0,0964
RFQ
 ECAD 6406 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS2DHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
UDZS18B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS18B 0,0357
RFQ
 ECAD 6587 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F UDZS18 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-udzs18btr Ear99 8541.10.0050 10000 45 Na @ 13 V 18 50 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть