SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MMSZ5254B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5254B 0,0433
RFQ
 ECAD 2105 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5254 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MMSS5254BTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 21 V 27 41 О
BZD17C11P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RFG -
RFQ
 ECAD 9272 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 4 мка 4,2 11 7 О
MUR340S R6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340S R6G -
RFQ
 ECAD 2938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR340SR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SF16G Taiwan Semiconductor Corporation SF16G 0,0968
RFQ
 ECAD 4455 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF16 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMA4746H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4746H 0,1156
RFQ
 ECAD 5054 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4746 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13,7 18 20 ОМ
HER303G Taiwan Semiconductor Corporation HER303G -
RFQ
 ECAD 8328 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HER303GTR Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C39S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C39S 0,0504
RFQ
 ECAD 8676 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Bzt52c39str Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 27,3 39 130 ОМ
BAT42 A0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT42 A0 -
RFQ
 ECAD 1669 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BAT42 ШOTKIй DO-35 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BAT42A0 Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 200 MMA 5 млн 500 NA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 май 7pf @ 1V, 1 мгест
1PGSMB5945 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5945 R5G -
RFQ
 ECAD 7013 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5945 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 51,7 68 В 120 ОМ
1N4742AH Taiwan Semiconductor Corporation 1n4742ah 0,1188
RFQ
 ECAD 6203 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4742 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 12 45 ОМ
SK54BH Taiwan Semiconductor Corporation SK54BH 0,1785
RFQ
 ECAD 6702 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK54 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZD17C200P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C200P MTG -
RFQ
 ECAD 3026 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 150 200 750 ОМ
1PGSMA4742 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4742 0,1086
RFQ
 ECAD 7837 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4742 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка, 9,1 12 9 О
SR304HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR304HA0G -
RFQ
 ECAD 1025 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR304 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
UF1M R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1M R1G -
RFQ
 ECAD 1326 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1M Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
BZT52C20-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20-G 0,0445
RFQ
 ECAD 2001 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C20-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 14 v 20 55 ОМ
ES1HL RUG Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL KOUVIK -
RFQ
 ECAD 5542 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1h Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 1V, 1 мгест
S8JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S8JCHR7G -
RFQ
 ECAD 5326 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S8JC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
BZX55C56 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C56 0,0305
RFQ
 ECAD 2173 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C56TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 42 56 135 ОМ
BZT52C27K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27K RKG 0,0474
RFQ
 ECAD 4791 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 21 V 27 80 ОМ
SF35G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF35G B0G -
RFQ
 ECAD 1191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF35 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 3 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
1SMB5952 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5952 R5G -
RFQ
 ECAD 3250 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5952 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 98,8 130 450 ОМ
BZT52B4V7S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V7S RRG -
RFQ
 ECAD 5242 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 2,7 мк -пр. 2 4,7 В. 80 ОМ
LSR102 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LSR102 L0G 0,1757
RFQ
 ECAD 7785 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF LSR102 ШOTKIй Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
BZD27C27PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRTG -
RFQ
 ECAD 2589 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
TSSE3U45H Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45H 0,7400
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H TSSE3 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 470 мВ @ 3 a 1 май @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1N5401G-K Taiwan Semiconductor Corporation 1n5401g-k 0,2115
RFQ
 ECAD 1680 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5401 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5401G-ktr Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 3 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
BZV55B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B12 0,0357
RFQ
 ECAD 1866 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B12TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
1PGSMC5348 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5348 R7G -
RFQ
 ECAD 6605 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 5 мка @ 8,4 11 3 О
1SMA4759 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4759 R3G -
RFQ
 ECAD 8311 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4759 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 47,1 62 125 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть