SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SF1601GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1601GHC0G -
RFQ
 ECAD 9366 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1601 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 8 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZT52C4V7-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V7-G 0,0445
RFQ
 ECAD 7408 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C4V7-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 3 мка @ 2 4,7 В. 80 ОМ
1N5401G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5401g 0,1844
RFQ
 ECAD 8946 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1N5401gtr Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 3 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
TS8P04G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P04G D2G -
RFQ
 ECAD 9711 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS8P04 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 8 A 10 мка 400 8 а ОДИНАНАНА 400
SS15LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS15lhrtg -
RFQ
 ECAD 1187 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
HS1JL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL MQG -
RFQ
 ECAD 1062 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
2M33ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m33zha0g -
RFQ
 ECAD 9769 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M33 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 25,1 33 В 23 ОМ
SF2007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2007GHC0G -
RFQ
 ECAD 8632 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2007 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 10 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
HS5D R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5D R6 -
RFQ
 ECAD 9903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5DR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 5 A 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C200P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P RQG -
RFQ
 ECAD 8790 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 150 200 750 ОМ
1PGSMA160Z Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA160Z 0,1086
RFQ
 ECAD 4136 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma160 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 121,6 160 1100 ОМ
SK20H45H Taiwan Semiconductor Corporation SK20H45H 0,8382
RFQ
 ECAD 1418 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй ШOTKIй R-6 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SK20H45HTR Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 550 м. @ 20 a 500 мкр 45 -55 ° C ~ 200 ° C. 20 часов -
1SMA5935 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5935 R3G -
RFQ
 ECAD 9630 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5935 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 20,6 27 23 ОМ
MTZJ22SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ22SB 0,0305
RFQ
 ECAD 7444 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ22 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ22SBTR Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 17 V 21.18. 30 ОМ
MBR1635 Taiwan Semiconductor Corporation MBR1635 -
RFQ
 ECAD 7097 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBR1635 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 630 мВ @ 16 a 500 мкр 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
SK54CH Taiwan Semiconductor Corporation SK54CH 0,6200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZV55B22 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B22 0,0357
RFQ
 ECAD 1052 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B22TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 16 v 22 55 ОМ
S1JLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation S1Jlhrug 0,1725
RFQ
 ECAD 7376 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
HS3JBH Taiwan Semiconductor Corporation HS3JBH 0,1467
RFQ
 ECAD 6384 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS3JBHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
PU3BFSH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BFSH 0,4900
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 930 мВ @ 3 a 25 млн 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 47pf @ 4V, 1 мгха
BZS55C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C30 0,0340
RFQ
 ECAD 4939 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZS55C30TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 22 30 80 ОМ
BZX55B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B12 0,0304
RFQ
 ECAD 2407 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55B12TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
MBR6040PT C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR6040PT C0 -
RFQ
 ECAD 4893 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Прохл MBR6040 - 1801-MBR6040PTC0 1
ES1JLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1jlhmtg -
RFQ
 ECAD 3772 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1j Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
BZV55B51 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B51 0,0357
RFQ
 ECAD 7952 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B51TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 38 51 125 ОМ
RSFBL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL RQG -
RFQ
 ECAD 9711 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFBL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
HS3J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3J R7G -
RFQ
 ECAD 8087 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ11SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj11sc 0,0305
RFQ
 ECAD 1775 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj11 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Mtzj11sctr Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 8 v 11.1 v 30 ОМ
BZS55C11 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C11 RXG 0,0340
RFQ
 ECAD 8272 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 8,2 11 20 ОМ
BZT52B13S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B13S 0,0340
RFQ
 ECAD 9409 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Bzt52b13str Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 90 Na @ 8 V 13 30 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть