SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
ES1BFS Taiwan Semiconductor Corporation ES1BFS 0,4200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Es1b Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 35 м 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 18pf @ 4V, 1 мгха
MBRF2535CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2535CTHC0G -
RFQ
ECAD 8731 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF2535 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 35 25 а 820 м. @ 12,5 А 2 мая @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С.
1T7GH Taiwan Semiconductor Corporation 1T7GH 0,0571
RFQ
ECAD 1631 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос 1T7G Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1T7GHTR Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 1 A 5 мк -при 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD17C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C47P R3G 0,2625
RFQ
ECAD 5485 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
BZX55B18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B18 0,0301
RFQ
ECAD 8553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55B18TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 14 v 18 50 ОМ
BZX584B5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V6 0,0639
RFQ
ECAD 6902 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B5V6TR Ear99 8541.10.0050 104 000 1 мка @ 2 5,6 В. 40 ОМ
HER1606GH Taiwan Semiconductor Corporation HER1606GH 0,6029
RFQ
ECAD 7235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HER1606GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 16A 1,7 - @ 8 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MTZJ5V6SA Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj5v6sa 0,0305
RFQ
ECAD 7645 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj5 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ5V6SATR Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк. 5,6 В. 60 ОМ
MBRS1060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060CT 0,5559
RFQ
ECAD 8206 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1060 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS1060CTTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 900 мВ @ 10 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
TSSD20L45SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD20L45SW 0,8340
RFQ
ECAD 1864 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSSD20 ШOTKIй 252, (D-PAK) - Rohs3 DOSTISH 1801-TSSD20L45SWTR Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 650 мВ @ 20 a 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 2600pf @ 4V, 1 мгха
BZV55C4V3 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V3 L1G -
RFQ
ECAD 2572 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 1 мка @ 1 В 4,3 В. 75 ОМ
RS3KB-T Taiwan Semiconductor Corporation RS3KB-T 0,1686
RFQ
ECAD 4590 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS3KB-TTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 3 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
2M110Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M110Z B0G -
RFQ
ECAD 7083 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M110 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 83,6 110 250 ОМ
ESH3B R6G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B R6G -
RFQ
ECAD 8935 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ESH3BR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 900 мВ @ 3 a 20 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
ZM4738A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4738A 0,0830
RFQ
ECAD 9041 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF ZM4738 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Zm4738atr Ear99 8541.10.0050 5000 10 мк. 8,2 В. 4,5 ОМ
BZD17C18P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P Mtg -
RFQ
ECAD 4870 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 18 15 О
BZT55B56 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B56 L1G -
RFQ
ECAD 6818 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 Na @ 42 56 135 ОМ
1SMB5944 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5944 R5G -
RFQ
ECAD 1324 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5944 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 47,1 62 100 ОМ
BZT55C9V1 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C9V1 L0G 0,0350
RFQ
ECAD 1786 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 na @ 6,8 9.1. 10 ОМ
SR20100PTH Taiwan Semiconductor Corporation SR20100PTH -
RFQ
ECAD 8995 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 247-3 SR20100 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 20 часов 550 м. @ 10 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 125 ° C.
MBRF20H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20H100CT 0,6433
RFQ
ECAD 6706 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF20 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 20 часов 950 мВ @ 20 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C.
BZX585B10 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B10 RSG 0,0476
RFQ
ECAD 9306 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 180 Na @ 7 V 10 20 ОМ
S3AH Taiwan Semiconductor Corporation S3AH -
RFQ
ECAD 2865 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S3AHTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZD17C11P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P MQG -
RFQ
ECAD 8070 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 4 мка 4,2 11 7 О
SS32HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS32HR7G -
RFQ
ECAD 9937 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS32 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 м. @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
BZT55B2V7 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B2V7 L1G -
RFQ
ECAD 6700 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 10 мка @ 1 В 2,7 В. 85 ОМ
1N4755A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4755a 0,1118
RFQ
ECAD 6973 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4755 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 32,7 43 В. 70 ОМ
TSZL52C24 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C24 RWG -
RFQ
ECAD 1191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) TSL52 200 м 1005 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 18 V 24 80 ОМ
SFT17GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT17GHR0G -
RFQ
ECAD 3002 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT17 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZX84C8V2 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C8V2 RFG 0,0511
RFQ
ECAD 8889 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 700 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе