SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SF16G Taiwan Semiconductor Corporation SF16G 0,0968
RFQ
 ECAD 4455 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF16 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BAT42 A0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT42 A0 -
RFQ
 ECAD 1669 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BAT42 ШOTKIй DO-35 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BAT42A0 Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 v @ 200 мая 5 млн 500 NA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 май 7pf @ 1V, 1 мгест
SR304HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR304HA0G -
RFQ
 ECAD 1025 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR304 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
UF1M R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1M R1G -
RFQ
 ECAD 1326 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1M Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -при 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
UGA15120HC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGA15120HC0G -
RFQ
 ECAD 4722 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 UGA15120 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2,9 В @ 15 A 65 м 5 мка @ 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 15A -
1SMB5929 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5929 0,1453
RFQ
 ECAD 2480 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5929 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 11,4 15 9 О
1PGSMB5945HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5945HR5G -
RFQ
 ECAD 6940 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5945 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 51,7 68 В 120 ОМ
SR502 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR502 A0G -
RFQ
 ECAD 6585 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR502 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 5A -
1N5226B Taiwan Semiconductor Corporation 1n5226b 0,0271
RFQ
 ECAD 6970 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5226 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5226btr Ear99 8541.10.0050 10000 1,1 - @ 200 Ма 25 мка @ 1 В 3.3в 28 ОМ
SFAF1601GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1601GHC0G -
RFQ
 ECAD 5163 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF1601 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 16 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 130pf @ 4V, 1 мгест
BZV55C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V9 0,0333
RFQ
 ECAD 4830 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55C3V9TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
S8MC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S8MC R7 -
RFQ
 ECAD 4009 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S8mcr7tr Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
SF1605PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1605PTHC0G -
RFQ
 ECAD 7666 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF1605 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 85pf @ 4V, 1 мгест
BZS55B13 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B13 Rag -
RFQ
 ECAD 4563 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-BZS55B13RAGTR Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 10 V 13 26 ОМ
MBR10150 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150 -
RFQ
 ECAD 7873 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 MBR1015 ШOTKIй ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBR10150 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
TUAU8KH Taiwan Semiconductor Corporation TUAU8KH 0,3453
RFQ
 ECAD 6197 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TUAU8 Станода SMPC4.6U СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tuau8khtr Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 8 a 80 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 43pf @ 4V, 1 мгест
BZT55B6V8 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V8 L1G -
RFQ
 ECAD 2629 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
1SMA4754H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4754H 0,0995
RFQ
 ECAD 2921 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4754 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1 мка @ 29,7 39 60 ОМ
1SMA4759 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4759 R3G -
RFQ
 ECAD 8311 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4759 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 47,1 62 125 ОМ
1PGSMB5940HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5940HR5G -
RFQ
 ECAD 5696 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5940 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 32,7 43 В. 53 О
1N5401G-K Taiwan Semiconductor Corporation 1n5401g-k 0,2115
RFQ
 ECAD 1680 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5401 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5401G-ktr Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 3 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
BZT52C20-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20-G 0,0445
RFQ
 ECAD 2001 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C20-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 14 v 20 55 ОМ
BZX55C56 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C56 0,0305
RFQ
 ECAD 2173 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C56TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 42 56 135 ОМ
BZT52C27K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27K RKG 0,0474
RFQ
 ECAD 4791 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 21 V 27 80 ОМ
SF35G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF35G B0G -
RFQ
 ECAD 1191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF35 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 3 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
1SMB5952 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5952 R5G -
RFQ
 ECAD 3250 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5952 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 98,8 130 450 ОМ
SS14LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS14lhrtg -
RFQ
 ECAD 7628 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS14 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
LSR102 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LSR102 L0G 0,1757
RFQ
 ECAD 7785 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF LSR102 ШOTKIй Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
BZT52B4V7S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V7S RRG -
RFQ
 ECAD 5242 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 2,7 мк -пр. 2 4,7 В. 80 ОМ
1SMB5950H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5950H 0,1545
RFQ
 ECAD 6919 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5950 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 83,6 110 300 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть