SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZS55C30 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C30 RXG 0,0340
RFQ
ECAD 1423 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 22 30 80 ОМ
BZD27C16P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P MTG -
RFQ
ECAD 6617 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 12в 16,2 В. 15 О
BZT55C6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V8 0,0354
RFQ
ECAD 7975 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55C6V8TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
BZS55B6V8 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B6V8 RAG -
RFQ
ECAD 3756 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-BZS55B6V8RAGTR Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
TSUP5M45SH S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSUP5M45SH S1G 1.5300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tsup5 ШOTKIй SMPC4.6U СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 600 м. @ 5 a 150 мкр 45 -55 ° C ~ 175 ° C. 5A 589pf @ 4V, 1 мгновение
BZD27C47P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P RTG -
RFQ
ECAD 1105 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
1N4751AH Taiwan Semiconductor Corporation 1n4751ah 0,1188
RFQ
ECAD 2351 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4751 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк -пр. 22,8 30 40 ОМ
BZS55C6V2 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C6V2 RXG 0,0340
RFQ
ECAD 4141 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
UF4003 Taiwan Semiconductor Corporation UF4003 -
RFQ
ECAD 4071 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF400 Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UF4003TR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SS34HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS34HR7G -
RFQ
ECAD 6971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS34 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
2M82Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M82Z A0G -
RFQ
ECAD 1125 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M82 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 62,2 82 100 ОМ
1PGSMC5355 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5355 R7G -
RFQ
ECAD 5975 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 13,7 18 3 О
MBRF7100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF7100HC0G -
RFQ
ECAD 1966 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF7100 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 920 мв 7,5 а 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 7,5а -
BZV55B20 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B20 L0G 0,0357
RFQ
ECAD 9937 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 15 V 20 55 ОМ
MBRS15100CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15100CT MNG -
RFQ
ECAD 9736 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS15100 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 15A 920 мв 7,5 а 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZT52C10K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10K RKG 0,0474
RFQ
ECAD 9475 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 7 v 10 20 ОМ
1SMA5949HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5949HR3G -
RFQ
ECAD 3284 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5949 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 76 V 100 250 ОМ
SS32 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS32 V7G -
RFQ
ECAD 7716 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS32 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SFT17GH Taiwan Semiconductor Corporation SFT17GH -
RFQ
ECAD 9536 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос Станода TS-1 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFT17GHTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZT52B15 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15 0,0412
RFQ
ECAD 9313 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B15TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 10,5 15 30 ОМ
1N4752G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752G R0G 0,0627
RFQ
ECAD 3454 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4752 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 33 В 45 ОМ
MBR3045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR3045CT 0,9495
RFQ
ECAD 6012 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR3045 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 30A 820 мВ @ 30 a 200 мк @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
1N4005G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005G 0,0490
RFQ
ECAD 6876 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4005 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 1 A 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
US1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1G R3G 0,5700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA US1G Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZV55C6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C6V8 0,0333
RFQ
ECAD 2360 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55C6V8TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
BZX84C36 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C36 0,0511
RFQ
ECAD 2563 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,56% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX84C36TR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 25,2 36 90 ОМ
SR1502 Taiwan Semiconductor Corporation SR1502 1.4324
RFQ
ECAD 1490 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй ШOTKIй R-6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR1502TR Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 15 A 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
1SMB5936HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5936HR5G -
RFQ
ECAD 1658 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5936 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4 22,8 30 26 ОМ
MTZJ9V1SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj9v1sb 0,0305
RFQ
ECAD 1376 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj9 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ9V1SBTR Ear99 8541.10.0050 10000 500 NA @ 6 V 9.1. 25 ОМ
BZT52C12-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12-G 0,0445
RFQ
ECAD 4794 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C12-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе