SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZX585B3V6 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B3V6 RKG -
RFQ
 ECAD 3714 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B3 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 4,5 мк -при 1 3,6 В. 90 ОМ
2A01GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A01GHR0G -
RFQ
 ECAD 5751 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A01 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 2 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
BZD27C6V8PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PHRUG -
RFQ
 ECAD 2024 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
SFF10L04GAH Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L04GAH 0,4385
RFQ
 ECAD 5205 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF10L04 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFF10L04GAH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 980mw @ 5 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
HERA807G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERA807G C0G -
RFQ
 ECAD 6752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 HERA807 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 8 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 55pf @ 4V, 1 мгха
UDZS33B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS33B 0,0354
RFQ
 ECAD 2404 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F UDZS33 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-udzs33btr Ear99 8541.10.0050 10000 45 Na @ 25 V 33 В 100 ОМ
AZ23C18 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C18 0,0786
RFQ
 ECAD 1193 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-AZ23C18TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 14 v 18 50 ОМ
UG8JH Taiwan Semiconductor Corporation UG8JH -
RFQ
 ECAD 4862 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UG8JH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,9 В @ 8 a 25 млн 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
BZX55C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C9V1 0,0287
RFQ
 ECAD 3841 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C9V1TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 6,8 9.1. 10 ОМ
TPMR10GH Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10GH 0,4860
RFQ
 ECAD 3334 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPMR10 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TPMR10GHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 10 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 140pf @ 4V, 1 мгест
TSZU52C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C6V2 0,0669
RFQ
 ECAD 3306 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tszu52c6v2tr Ear99 8541.10.0050 20 000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
BZT52C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13 0,0412
RFQ
 ECAD 3755 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C13TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 90 Na @ 8 V 13 30 ОМ
PUUP6J Taiwan Semiconductor Corporation Puup6j 0,6900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Pogruehenee Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,8 В @ 6 a 26 млн 2 мка При 600 В -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 48pf @ 4V, 1 мгха
RS3KH Taiwan Semiconductor Corporation RS3KH 0,1791
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 3 a 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
RSFBLH Taiwan Semiconductor Corporation Rsfblh 0,1815
RFQ
 ECAD 6381 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RSFBLHTR Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
RS1AL Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al 0,1703
RFQ
 ECAD 8508 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-rs1altr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMC5366 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5366 V7G -
RFQ
 ECAD 4970 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5366V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 29,7 39 14 ОМ
UF4003HB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4003HB0G -
RFQ
 ECAD 9239 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SS16L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L RFG -
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS16 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
HSKLWH Taiwan Semiconductor Corporation HSKLWH 0,0906
RFQ
 ECAD 3511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HSKLWHTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 В @ 800 мая 75 м 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 5pf @ 4V, 1 мгест
SS510FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS510FSH 0,4800
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 SS510 ШOTKIй SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 164pf @ 4V, 1 мгест
S1BL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL RQG -
RFQ
 ECAD 8783 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
RSFALH Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalh 0,1815
RFQ
 ECAD 9459 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-rsfalhtr Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SF1602PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1602PTHC0G -
RFQ
 ECAD 1461 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF1602 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 85pf @ 4V, 1 мгест
S3KB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3KB R5G -
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S3K Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMB5942 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5942 0,1689
RFQ
 ECAD 7834 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ 1pgsmb59 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 38,8 51 70 ОМ
1PGSMA4750 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4750 0,1086
RFQ
 ECAD 9039 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4750 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 20,6 27 35 ОМ
BZV55C10 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C10 L1G -
RFQ
 ECAD 8529 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 7,5 10 15 О
BZX55B24 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B24 A0G -
RFQ
 ECAD 3692 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 100 Na @ 18 V 24 80 ОМ
BZX55B39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B39 0,0301
RFQ
 ECAD 5439 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55B39TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 28 39 90 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть