SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZV55C7V5 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C7V5 L1G -
RFQ
ECAD 8796 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 5 v 7,5 В. 7 О
BZT52B15 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15 RHG 0,2700
RFQ
ECAD 40 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 10,5 15 30 ОМ
SFF1608GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1608GH -
RFQ
ECAD 5166 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1608 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 50pf @ 4V, 1 мгест
MBR20200PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200PTHC0G -
RFQ
ECAD 8383 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR20200 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 1,02 В @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
ES2AAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2aahr3g -
RFQ
ECAD 4095 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Es2a Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C8V2PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHMTG -
RFQ
ECAD 4379 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 8,2 В. 2 О
1PGSMC5355 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5355 R6G -
RFQ
ECAD 2893 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5355R6GTR Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 13,7 18 3 О
SF1606PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1606PTHC0G -
RFQ
ECAD 1445 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF1606 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 85pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C15PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PW 0,5100
RFQ
ECAD 11 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка При 11 В 15 10 ОМ
BZT55C2V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C2V7 L0G 0,0350
RFQ
ECAD 7879 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 10 мка @ 1 В 2,7 В. 85 ОМ
UDZS20B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS20B RRG -
RFQ
ECAD 3417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Udzs20 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 45 Na @ 15 V 20 60 ОМ
SFAF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1601G C0G -
RFQ
ECAD 7260 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF1601 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 16 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 130pf @ 4V, 1 мгест
UG06C Taiwan Semiconductor Corporation UG06C 0,0953
RFQ
ECAD 7585 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос UG06 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 600 мая 15 млн 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 600 май 9pf @ 4V, 1 мгест
SFF2005GAH Taiwan Semiconductor Corporation SFF2005GAH 0,7839
RFQ
ECAD 2491 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF2005 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFF2005GAH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 20 часов 1,3 V @ 10 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZT55B56 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B56 L0G 0,0385
RFQ
ECAD 7044 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 42 56 135 ОМ
SS39HR7G Taiwan Semiconductor Corporation SS39HR7G -
RFQ
ECAD 1376 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS39 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
F1T1G A1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T1G A1G -
RFQ
ECAD 7431 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос F1T1 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
S1BL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL RVG -
RFQ
ECAD 4941 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
FR204G Taiwan Semiconductor Corporation FR204G 0,0795
RFQ
ECAD 8055 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR204 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
SF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1601G C0G -
RFQ
ECAD 5923 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1601 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 8 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 80pf @ 4V, 1 мгха
1N4753A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4753a 0,1118
RFQ
ECAD 3641 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4753 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 36 50 ОМ
1N4755AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AHR1G -
RFQ
ECAD 2706 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4755 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 32,7 43 В. 70 ОМ
ESH2BA Taiwan Semiconductor Corporation Esh2ba 0,1650
RFQ
ECAD 5553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ESH2 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 900 мВ @ 1 a 25 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 25pf @ 4V, 1 мгха
TSSW3U60HRVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSW3U60HRVG 0,8400
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W TSSW3 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 580mw @ 3 a 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
ES3G R7 Taiwan Semiconductor Corporation ES3G R7 -
RFQ
ECAD 8438 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3GR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
ES3F Taiwan Semiconductor Corporation Es3f 0,2299
RFQ
ECAD 2443 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Es3f Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
BZX55C27 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C27 A0G -
RFQ
ECAD 3712 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 100 na @ 20 v 27 80 ОМ
BZD27C56P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P M2G -
RFQ
ECAD 3690 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 43 56 60 ОМ
BZT55B30 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B30 L0G 0,0385
RFQ
ECAD 6242 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 na @ 22 30 80 ОМ
BZD17C75P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RHG -
RFQ
ECAD 2656 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 75 100 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе