SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
MUR315S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR315S V7G -
RFQ
ECAD 1962 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR315 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 25 млн 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
HERA804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERA804G C0G -
RFQ
ECAD 7721 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 HERA804 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 8 A 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 65pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C62PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PHRTG -
RFQ
ECAD 6013 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 47 62 80 ОМ
BZY55C12 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c12 0,0350
RFQ
ECAD 8444 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c12tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
BZX79C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C8V2 0,0287
RFQ
ECAD 7899 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79C8V2TR Ear99 8541.10.0050 20 000 1,5 Е @ 100 мая 700 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
BZX79C12 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C12 A0G -
RFQ
ECAD 4600 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
MURF1660CTH Taiwan Semiconductor Corporation MURF1660CTH 0,7551
RFQ
ECAD 9484 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MURF1660 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 16A 1,5 @ 8 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MBR2060CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060CT-y 0,4737
RFQ
ECAD 3364 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR2060 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR2060CT-y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 700 м. @ 20 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRF1060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1060CTH -
RFQ
ECAD 6220 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF106 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 900 мВ @ 10 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZY55B13 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b13 Ryg -
RFQ
ECAD 9938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 10 V 13 26 ОМ
TSP10H60S Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H60S 0,5346
RFQ
ECAD 9758 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSP10 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSP10H60STR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 640 мВ @ 10 a 150 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
SS24LH Taiwan Semiconductor Corporation SS24LH 0,3210
RFQ
ECAD 5191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SS24 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS24LHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
1N5225B Taiwan Semiconductor Corporation 1n5225b 0,0277
RFQ
ECAD 6950 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5225 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5225btr Ear99 8541.10.0050 10000 1,1 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 3 В 29 ОМ
BY253G Taiwan Semiconductor Corporation By253g 0,2044
RFQ
ECAD 5573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй By253 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BY253GTR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1 V @ 3 a 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
BZX585B16 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B16 RSG 0,0476
RFQ
ECAD 6940 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 45 NA @ 11,2 16 40 ОМ
SR106HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR106HA0G -
RFQ
ECAD 5949 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR106 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
KBP202G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP202G C2 -
RFQ
ECAD 1427 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBP Станода KBP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1,2 - @ 2 a 10 мк -пки 100 2 а ОДИНАНАНА 100
SR209H Taiwan Semiconductor Corporation SR209H -
RFQ
ECAD 5797 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй ШOTKIй DO-204AC (DO-15) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR209HTR Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZD27C43PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PHMTG -
RFQ
ECAD 2463 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 33 43 В. 45 ОМ
1SMA4743HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4743HR3G -
RFQ
ECAD 4235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4743 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка 4,9 13 10 ОМ
6A05G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G B0G -
RFQ
ECAD 5235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru R-6, osevoй 6A05 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 6 a 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
1M160Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M160Z A0G -
RFQ
ECAD 2397 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m160 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 121,6 160 1100 ОМ
BZT55B27 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B27 L1G -
RFQ
ECAD 3835 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 20 v 27 80 ОМ
SRS1660 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1660 MNG -
RFQ
ECAD 1366 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1660 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 16A 700 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZT52C3V0 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V0 RHG 0,0412
RFQ
ECAD 9306 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 9 мка @ 1 В 3 В 100 ОМ
MUR360S M6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR360S M6 -
RFQ
ECAD 2931 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR360SMTRTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
HS1DL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL 0,2228
RFQ
ECAD 3121 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1DLTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
TST20L120CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20L120CW 1.0344
RFQ
ECAD 9401 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST20 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 120 930 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
PU1DLSH Taiwan Semiconductor Corporation PU1DLSH 0,4500
RFQ
ECAD 129 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H Станода SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 930 мВ @ 1 a 25 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 19pf @ 4V, 1 мгха
BZT52B62S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B62S 0,0385
RFQ
ECAD 3625 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Bzt52b62str Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 43,4 62 215
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе