SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SS310L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS310L RFG -
RFQ
 ECAD 1859 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS310 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1PGSMB5944 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5944 R5G -
RFQ
 ECAD 3712 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5944 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 47,1 62 100 ОМ
SFAF2007GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2007GH -
RFQ
 ECAD 4842 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFAF2007GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 20 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 150pf @ 4V, 1 мгест
ES1DLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhrug 0,2565
RFQ
 ECAD 6321 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZV55B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V3 0,0357
RFQ
 ECAD 4190 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B3V3TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3.3в 85 ОМ
1N5241B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5241b A0G -
RFQ
 ECAD 7781 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% 100 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5241 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,1 - @ 200 Ма 1 мка @ 8,4 11 22 ОМ
UGF1008GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1008GA 0,4684
RFQ
 ECAD 9231 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF1008 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-UGF1008GA Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 10 часов 1,7 - @ 5 a 25 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
M3Z12VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z12VC 0,0294
RFQ
 ECAD 3599 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F M3Z12 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-M3Z12VCTR Ear99 8541.10.0050 6000 100 Na @ 9 V 12 20 ОМ
S1J-JR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1J-JR2 -
RFQ
 ECAD 7468 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SFS1007G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1007G MNG -
RFQ
 ECAD 8680 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFS1007 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 5 a 35 м 1 мка При 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 50pf @ 4V, 1 мгест
SF65G Taiwan Semiconductor Corporation SF65G 0,3330
RFQ
 ECAD 2982 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF65 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 6 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 50pf @ 4V, 1 мгест
MBRS4060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS4060CT 0,9495
RFQ
 ECAD 6838 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS4060 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS4060CTTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 40a 1 V @ 40 A 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 175 ° C.
SRAS8150 Taiwan Semiconductor Corporation SRAS8150 0,6279
RFQ
 ECAD 8056 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRAS8150 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRAS8150TR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
BZD17C180P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C180P MQG -
RFQ
 ECAD 1947 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 130 180 450 ОМ
BZT52C47K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C47K RKG 0,0474
RFQ
 ECAD 7310 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 мка @ 36 47 В 170 ОМ
MTZJ39SF R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SF R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 2030 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ39 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 30 v 39,13 В. 85 ОМ
BZT52C16S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16S 0,0504
RFQ
 ECAD 7219 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Bzt52c16str Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 11,2 16 40 ОМ
RS2MAL Taiwan Semiconductor Corporation RS2mal 0,4100
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds RS2M Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,05 В @ 2 a 500 млн 1 мка @ 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ18B R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18B R0G -
RFQ
 ECAD 1043 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2,5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 13 v 17.26 V. 45 ОМ
2M16ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m16zhb0g -
RFQ
 ECAD 6969 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M16 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 12,2 16 8 О
HS1ML MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML MHG -
RFQ
 ECAD 3981 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1M Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1SMB5930 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5930 R5G -
RFQ
 ECAD 1882 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5930 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка рри 12,2 16 10 ОМ
2CZ4005 RHG Taiwan Semiconductor Corporation 2CZ4005 RHG -
RFQ
 ECAD 3918 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123 2CZ4005 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MBRAD1560DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1560DH 0,9300
RFQ
 ECAD 6560 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRAD1560 ШOTKIй ТИНДПАК - Rohs3 1 (neograniчennnый) 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 15A 750 мв 7,5 а 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
TSZU52C2V7 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V7 RGG 0,0669
RFQ
 ECAD 3993 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 75 мка При 1в 2,7 В. 83 О
1PGSMC5363 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5363 R7G -
RFQ
 ECAD 2430 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 22,8 30 8 О
SS115H Taiwan Semiconductor Corporation SS115H 0,0779
RFQ
 ECAD 6585 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS115 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 500 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
MTZJ7V5SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ7V5SB 0,0305
RFQ
 ECAD 3534 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj7 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ7V5SBTR Ear99 8541.10.0050 10000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
AZ23C3V3 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V3 RFG 0,0794
RFQ
 ECAD 8982 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 3.3в 95 ОМ
SSL32H Taiwan Semiconductor Corporation SSL32H 0,3351
RFQ
 ECAD 4743 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 410 мВ @ 3 a 200 мк @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть