SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела СИЛА - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SS15L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L RFG -
RFQ
ECAD 5204 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZD27C16PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PW 0,1638
RFQ
ECAD 3721 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 MMA 1 мка При 12в 16 15 О
SF3004PT Taiwan Semiconductor Corporation SF3004PT 2.9800
RFQ
ECAD 2057 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF3004 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 15 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 30 часов 175pf @ 4V, 1 мгха
MMSZ5262B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5262B 0,0433
RFQ
ECAD 7132 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5262 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-mmmз5262btr Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 39 v 51 125 ОМ
SK52BH Taiwan Semiconductor Corporation SK52BH -
RFQ
ECAD 2616 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SF1601PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1601PT C0G -
RFQ
ECAD 2206 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF1601 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 85pf @ 4V, 1 мгест
TPAR3D Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3D 0,2997
RFQ
ECAD 5702 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPAR3 Лавина TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tpar3dtr Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,55 В @ 3 a 120 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 58pf @ 4V, 1 мгест
SS22L Taiwan Semiconductor Corporation SS22L 0,2625
RFQ
ECAD 6335 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS22LTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
BZD27C47PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHMQG -
RFQ
ECAD 1093 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
BZS55C33 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C33 0,0340
RFQ
ECAD 1547 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZS55C33TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 24 33 В 80 ОМ
SS1H15LW Taiwan Semiconductor Corporation SS1H15LW 0,1011
RFQ
ECAD 2234 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS1H15 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS1H15LWTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 850 мВ @ 1 a 500 NA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
BZD27C200PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200FRUG -
RFQ
ECAD 2816 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 150 200 750 ОМ
SF2006GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2006GHC0G -
RFQ
ECAD 7768 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2006 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
SRS10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRS10100 0,6690
RFQ
ECAD 7947 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS10100 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRS10100TR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 900 мВ @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
S1MLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation S1Mlhrhg -
RFQ
ECAD 8534 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1SMA4761HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4761HR3G -
RFQ
ECAD 7825 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4761 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 56 75 175
SF2L6G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L6G B0G -
RFQ
ECAD 3860 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF2L6 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
1PGSMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4745HR3G 0,4800
RFQ
ECAD 30 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4745 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 12,2 16 16 ОМ
BZD27C27PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHR3G -
RFQ
ECAD 5442 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
1PGSMC5364H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5364H 0,3459
RFQ
ECAD 2195 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMC53 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 25,1 33 В 10 ОМ
BAV20WS-G Taiwan Semiconductor Corporation BAV20WS-G 0,0334
RFQ
ECAD 3615 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV20 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BAV20WS-GTR Ear99 8541.10.0070 9000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,25 Е @ 100 мая 50 млн 100 Na @ 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
2M6.8Z Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8z 0,1565
RFQ
ECAD 8851 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2m6.8 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 1 мая @ 5,5 6,8 В. 1,5 ОМ
BZY55B36 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b36 0,0413
RFQ
ECAD 5667 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55b36tr Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 27 36 80 ОМ
RS1ALHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1ALHRVG -
RFQ
ECAD 3037 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
2M75ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m75zhb0g -
RFQ
ECAD 8933 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M75 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 56 V 75 90 ОМ
BZD17C100P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P RQG -
RFQ
ECAD 5250 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 75 100 200 ОМ
BZX584B36 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B36 0,0379
RFQ
ECAD 4887 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B36TR Ear99 8541.10.0050 8000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 25,2 36 90 ОМ
MUR340S R7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340S R7G -
RFQ
ECAD 2736 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR340 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
F1T3G R0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T3G R0G -
RFQ
ECAD 1555 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос F1T3 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZD27C56P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P R3G -
RFQ
ECAD 6562 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 43 56 60 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе