SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
RS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2KA R3G -
RFQ
 ECAD 3561 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA RS2K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 Е @ 1,5 А. 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 50pf @ 4V, 1 мгест
MBRF1645H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1645H -
RFQ
 ECAD 7926 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBRF1645H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 500 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
HT14G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HT14G A0G -
RFQ
 ECAD 8457 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос Ht14 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SFS1608GH Taiwan Semiconductor Corporation SFS1608GH 0,8349
RFQ
 ECAD 1003 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFS1608 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 60pf @ 4V, 1 мгест
SFT12GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT12GHR0G -
RFQ
 ECAD 8029 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT12 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
MBRF20L120CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20L120CTH -
RFQ
 ECAD 9744 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF20 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 120 20 часов 900 мВ @ 20 a 20 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
FR207G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR207G B0G -
RFQ
 ECAD 6315 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR207 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 2 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZT55B13 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B13 L0G 0,0385
RFQ
 ECAD 6963 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 10 V 13 26 ОМ
SR102 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR102 B0G -
RFQ
 ECAD 4562 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR102 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
1N5247B Taiwan Semiconductor Corporation 1n5247b 0,0271
RFQ
 ECAD 7229 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5247 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5247btr Ear99 8541.10.0050 10000 1,1 - @ 200 Ма 100 na @ 13 v 17 19 om
ZM4745A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4745A L0G 0,0830
RFQ
 ECAD 4175 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF ZM4745 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 16 16 ОМ
BZD27C16PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHR3G 0,2933
RFQ
 ECAD 5517 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 12в 16,2 В. 15 О
SRT14 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT14 A0G -
RFQ
 ECAD 2348 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SRT14 ШOTKIй TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
BZD27C36P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P MQG -
RFQ
 ECAD 9265 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27 36 40 ОМ
SRF2040HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2040HC0G -
RFQ
 ECAD 1311 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF2040 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 20 часов 550 м. @ 10 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
ES3C V6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C V6G -
RFQ
 ECAD 8425 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Es3c Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
S8MC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S8MC R6G -
RFQ
 ECAD 5712 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S8MCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
SS115 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS115 R3G 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SS115 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
MTZJ36SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ36SA R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ36 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 27 V 32,97 В. 75 ОМ
TSF30H45C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H45C 2.1870
RFQ
 ECAD 6983 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF30 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 610 мВ @ 15 A 500 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
SF15G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF15G B0G -
RFQ
 ECAD 6868 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF15 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
2M43ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m43zha0g -
RFQ
 ECAD 4243 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M43 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 32,7 43 В. 35 ОМ
ES1DVH Taiwan Semiconductor Corporation Es1dvh 0,0984
RFQ
 ECAD 2343 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Es1d Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 920 мВ @ 1 a 15 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
BZV55B30 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B30 L1G -
RFQ
 ECAD 4923 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 100 na @ 22 30 80 ОМ
RSFGLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfglhmhg -
RFQ
 ECAD 6599 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFGL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SS34L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS34L RFG -
RFQ
 ECAD 7392 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS34 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
TS6P06G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P06G C2G -
RFQ
 ECAD 9880 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS6P06 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 6 a 10 мк. 6 а ОДИНАНАНА 800 В
BZD27C13P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P RVG 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 2 мка При 10в 13,25 В. 10 ОМ
RS1KLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1Klhrug -
RFQ
 ECAD 4753 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 - @ 800 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
1N4751G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751G R0G 0,0627
RFQ
 ECAD 5269 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4751 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк -пр. 22,8 30 40 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть