SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SF37GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF37GHB0G -
RFQ
 ECAD 4193 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF37 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 3 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
TSSE3U60 Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U60 0,2700
RFQ
 ECAD 5556 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H TSSE3 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSSE3U60TR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 580 мВ @ 3 a 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SR504 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR504 A0G 0,9500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR504 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
TUAS3DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas3dh 0,1776
RFQ
 ECAD 6722 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tuas3 Станода TO-277A (SMPC4.6U) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801 Tuas3dhtr Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 3 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 27pf @ 4V, 1 мгха
BZT55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V3 L0G 0,0385
RFQ
 ECAD 8770 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 1 мка @ 1 В 4,3 В. 75 ОМ
S3M V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3M V7G -
RFQ
 ECAD 9159 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S3M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
HS1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL RHG -
RFQ
 ECAD 2769 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
UGF1005G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1005G 0,4737
RFQ
 ECAD 9714 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF1005 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 10 часов 1,25 - @ 5 a 20 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 175 ° C.
BZX79C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C3V9 0,0287
RFQ
 ECAD 5578 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79C3V9TR Ear99 8541.10.0050 20 000 1,5 Е @ 100 мая 10 мка @ 1 В 3,9 В. 90 ОМ
MBR20150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150PT -
RFQ
 ECAD 6176 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 247-3 MBR20150 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 1,02 В @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C30PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PHRQG -
RFQ
 ECAD 6134 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 22 30 15 О
BZX85C27 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C27 0,0645
RFQ
 ECAD 7888 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX85C27TR Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 10 мая 500 NA @ 20 V 27 30 ОМ
RS1KFL Taiwan Semiconductor Corporation Rs1kfl 0,0722
RFQ
 ECAD 3443 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F RS1K Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-rs1kfltr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 250 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 11pf @ 4V, 1 мгха
SK210A Taiwan Semiconductor Corporation SK210A 0,0783
RFQ
 ECAD 4342 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK210 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MUR305S R6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S R6G -
RFQ
 ECAD 7393 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR305SR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 875 MV @ 3 A 25 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
ES1DFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es1dfsh 0,1131
RFQ
 ECAD 6860 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES1DFSHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 18pf @ 4V, 1 мгха
HS3B M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3B M6 -
RFQ
 ECAD 8284 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3BM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
SRAF1660H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1660H -
RFQ
 ECAD 4859 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Sraf1660H Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
PU8JC Taiwan Semiconductor Corporation PU8JC 0,2643
RFQ
 ECAD 4371 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC PU8J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Pu8jctr Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 8 A 25 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 58pf @ 4V, 1 мгест
SRS1640 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1640 0,7722
RFQ
 ECAD 9861 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1640 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRS1640TR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 16A 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
ES1BH Taiwan Semiconductor Corporation Es1bh 0,0945
RFQ
 ECAD 1146 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES1BHTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
BZV55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C12 0,0504
RFQ
 ECAD 8464 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55C12TR Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
UG54GS Taiwan Semiconductor Corporation UG54GS 0,1676
RFQ
 ECAD 1934 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй UG54 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ug54gstr Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.1 V @ 5 A 20 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 5A 45pf @ 4V, 1 мгест
HS5K M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5K M6 -
RFQ
 ECAD 4688 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5KM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 5 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
SS14L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS14L MHG -
RFQ
 ECAD 3068 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS14 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
BZD27C200PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PW 0,4900
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка При 150 200 750 ОМ
ES2GFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es2gfsh 0,1491
RFQ
 ECAD 2818 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES2GFSHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 27pf @ 4V, 1 мгха
MUR315SBH Taiwan Semiconductor Corporation MUR315SBH 0,2286
RFQ
 ECAD 6643 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB MUR315 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MUR315SBHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 3 a 25 млн 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
SF2002GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2002GHC0G -
RFQ
 ECAD 5044 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2002 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 975 MV @ 10 A 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
2M150Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M150Z 0,1565
RFQ
 ECAD 3656 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M150 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 114 V 150 575 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть