SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
PUAD8DC Taiwan Semiconductor Corporation PUAD8DC 0,9000
RFQ
ECAD 1873 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода ТИНДПАК - 1 (neograniчennnый) 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 8. 920 мВ @ 4 a 25 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C.
SFF2005GA Taiwan Semiconductor Corporation SFF2005GA 0,7385
RFQ
ECAD 5227 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF2005 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFF2005GA Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 20 часов 1,3 V @ 10 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С.
SF11G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G R1G -
RFQ
ECAD 5206 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF11 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгест
SF44GH Taiwan Semiconductor Corporation SF44GH 0,2862
RFQ
ECAD 4338 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF44 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 4 A 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 100pf @ 4V, 1 мгха
BZX584B10 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B10 0,0639
RFQ
ECAD 7522 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B10TR Ear99 8541.10.0050 104 000 200 na @ 7 v 10 20 ОМ
BZD27C160PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160PHMTG -
RFQ
ECAD 5512 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 120 162 В 350 ОМ
1N4003GR0 Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003GR0 -
RFQ
ECAD 9367 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 1 A 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
HS1AL RTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL RTG -
RFQ
ECAD 6194 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгест
1N4761A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4761a a0g -
RFQ
ECAD 5074 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4761 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 56 75 175
BZV55B5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B5V1 0,0357
RFQ
ECAD 2075 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B5V1TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 1 V 5,1 В. 35 ОМ
ES3A R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3A R7G -
RFQ
ECAD 1442 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Es3a Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
ES1GLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Es1glhm2g -
RFQ
ECAD 4411 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1g Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4745HR3G 0,4800
RFQ
ECAD 30 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4745 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 12,2 16 16 ОМ
2M19Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M19Z 0,1565
RFQ
ECAD 6193 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M19 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 14,4 19 v 11 О
SK520C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK520C R6 -
RFQ
ECAD 8454 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK520CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SF2L6G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L6G B0G -
RFQ
ECAD 3860 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF2L6 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгест
BZD17C33P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P RUGE -
RFQ
ECAD 7814 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 24 33 В 15 О
MBRF16H45 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16H45 C0G -
RFQ
ECAD 9139 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 MBRF16 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 500 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
S1MLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation S1Mlhrhg -
RFQ
ECAD 8534 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SRS10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRS10100 0,6690
RFQ
ECAD 7947 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS10100 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRS10100TR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 900 мВ @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C27PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHR3G -
RFQ
ECAD 5442 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
2M170ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M170ZH 0,1667
RFQ
ECAD 8149 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M170 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 130,4 170 675 ОМ
1PGSMC5364H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5364H 0,3459
RFQ
ECAD 2195 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMC53 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 25,1 33 В 10 ОМ
RS1ALHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1ALHRVG -
RFQ
ECAD 3037 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C2V7-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7-G 0,0445
RFQ
ECAD 5205 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C2V7-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 20 мка При 1в 2,7 В. 100 ОМ
BZD27C9V1P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1P M2G -
RFQ
ECAD 8899 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6,07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мк -при 5в 9.05 V. 4 О
BZY55B36 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b36 0,0413
RFQ
ECAD 5667 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55b36tr Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 27 36 80 ОМ
1SMB5943 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5943 0,1453
RFQ
ECAD 1774 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5943 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 42,6 56 86 ОМ
BAV20WS-G Taiwan Semiconductor Corporation BAV20WS-G 0,0334
RFQ
ECAD 3615 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV20 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BAV20WS-GTR Ear99 8541.10.0070 9000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,25 Е @ 100 мая 50 млн 100 Na @ 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
BZD27C120PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PHM2G -
RFQ
ECAD 4336 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 91в 120,5. 300 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе