SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Коунфигуразия Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Naprayжeniee - pipokratnogogohogohogos (mamaks) На Иппедс (mmaks) (zzt)
AZ23C20 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C20 RFG 0,0786
RFQ
ECAD 9522 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 Na @ 15 V 20 50 ОМ
AZ23C8V2 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C8V2 RFG 0,0786
RFQ
ECAD 1422 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 6 v 8,2 В. 7 О
BZD17C11P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RVG -
RFQ
ECAD 4088 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 4 мка 4,2 11 7 О
BZD27C11P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11P RUGE -
RFQ
ECAD 8245 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 4 мка 4,2 11 7 О
BZX79B2V4 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4 A0G -
RFQ
ECAD 2523 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 1 мая @ 100 2,4 В. 100 ОМ
BZT52C24S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24S RRG -
RFQ
ECAD 3998 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 16,8 24 70 ОМ
BZX585B47 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B47 RSG 0,0476
RFQ
ECAD 4813 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 45 Na @ 33 V 47 В 170 ОМ
MTZJ5V6SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SB R0G 0,0305
RFQ
ECAD 4355 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj5 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк. 5,59 В. 60 ОМ
1N4752A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4752a 0,1118
RFQ
ECAD 3606 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4752 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 33 В 45 ОМ
1N4759AH Taiwan Semiconductor Corporation 1n4759ah 0,1188
RFQ
ECAD 2080 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4759 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 47,1 62 125 ОМ
BZD17C51P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P RQG -
RFQ
ECAD 6013 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 39 51 60 ОМ
S1MLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation S1Mlhmtg -
RFQ
ECAD 3262 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C18P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P MTG -
RFQ
ECAD 5880 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 17,95 В. 15 О
BZD27C36P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P RTG -
RFQ
ECAD 4223 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27 36 40 ОМ
BZD27C91PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHRTG -
RFQ
ECAD 7201 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 68 90,5. 200 ОМ
BZS55B12 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B12 RXG -
RFQ
ECAD 7514 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
BZV55B3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V0 L1G -
RFQ
ECAD 8069 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 4 мка @ 1 В 3 В 85 ОМ
1SMA4750 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4750 R3G -
RFQ
ECAD 1465 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4750 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 20,6 27 35 ОМ
ABS20M Taiwan Semiconductor Corporation ABS20M 0,5400
RFQ
ECAD 50 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло ABS20 Станода Абс СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 1.1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 2 а ОДИНАНАНА 1 к
BZD27C22P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22P R3G 0,6300
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 16 22,05 В. 15 О
BZD27C39P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P RVG 0,0980
RFQ
ECAD 5341 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
BZD27C7V5P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P RVG -
RFQ
ECAD 8414 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 3 В 7,45 В. 2 О
D2SB80 Taiwan Semiconductor Corporation D2SB80 0,9000
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBL D2SB80 Станода Герб СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 15 A 10 мк. 2 а ОДИНАНАНА 800 В
DBLS104G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS104G 0,6600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS104 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 1.1 V @ 1 a 2 мка 400 1 а ОДИНАНАНА 400
DBLS203G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS203G 1.0200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло DBLS203 Станода DBLS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 1,15 h @ 2 a 2 мка При 200 2 а ОДИНАНАНА 200
GBU1006 Taiwan Semiconductor Corporation GBU1006 0,7872
RFQ
ECAD 3026 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU GBU1006 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 15 A 5 мк -400 10 а ОДИНАНАНА 800 В
GBU805 Taiwan Semiconductor Corporation GBU805 0,7104
RFQ
ECAD 8523 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU GBU805 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 5 мк. 8 а ОДИНАНАНА 600
GBU806 Taiwan Semiconductor Corporation GBU806 1.4500
RFQ
ECAD 650 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU GBU806 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 5 мк -400 8 а ОДИНАНАНА 800 В
RABS15M REG Taiwan Semiconductor Corporation Rabs15m Reg 0,2435
RFQ
ECAD 3517 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло Rabs15 Станода Абс-л СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1В @ 1,5 а 1 мка При 1000 1,5 а ОДИНАНАНА 1 к
RMB6S Taiwan Semiconductor Corporation Rmb6s 0,6300
RFQ
ECAD 170 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-besop (0,173 », ширина 4,40 мм) Rmb6 Станода Мбс СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 1 V @ 2 A 5 мк. 800 млн ОДИНАНАНА 600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе