SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип На На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZV55B43 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B43 0,0357
RFQ
ECAD 4632 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B43TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 32 43 В. 90 ОМ
SF26G Taiwan Semiconductor Corporation SF26G 0,1159
RFQ
ECAD 2405 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF26 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгест
BZS55B16 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B16 RXG -
RFQ
ECAD 8102 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 12 v 16 40 ОМ
S15GC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S15GC R7G -
RFQ
ECAD 1915 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S15G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 15 A 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A 93pf @ 4V, 1 мгест
1N4742G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4742G B0G -
RFQ
ECAD 7686 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4742 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 12 50 ОМ
BZD27C12PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PHMQG -
RFQ
ECAD 7895 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 3 мк -при 9,1 12.05 V. 7 О
MBR4060PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR4060PTH -
RFQ
ECAD 9387 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 247-3 MBR4060 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 40a 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
HS3A R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3A R6 -
RFQ
ECAD 7628 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3AR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
1N4003G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003G A0G -
RFQ
ECAD 6539 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 1 A 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SS15L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L RHG -
RFQ
ECAD 5145 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
HS3MB Taiwan Semiconductor Corporation HS3MB 0,1368
RFQ
ECAD 9532 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB HS3M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
MBR10200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CTH -
RFQ
ECAD 6043 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-3 MBR1020 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 980 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
UDZS24B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS24B RRG 0,0416
RFQ
ECAD 4591 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F UDZS24 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 45 Na @ 19 V 24 80 ОМ
BZD17C11P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P R3G 0,2625
RFQ
ECAD 1050 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 4 мк 11 7 О
2M11ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M11ZH 0,1667
RFQ
ECAD 7563 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2m11 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 1 мка @ 8,4 11 4 О
BZX584B8V2 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B8V2 RSG 0,0639
RFQ
ECAD 1433 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 900 мВ @ 10 мая 700 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
BZD27C100PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PW 0,1638
RFQ
ECAD 5230 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 MMA 1 мка При 75 100 200 ОМ
AZ23C16 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C16 RFG 0,0786
RFQ
ECAD 2074 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 12 v 16 40 ОМ
HS3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3B M6G -
RFQ
ECAD 3628 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
RS2GAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2GAHR3G -
RFQ
ECAD 9997 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA RS2G Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 50pf @ 4V, 1 мгест
BZT55C15 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C15 0,0354
RFQ
ECAD 2293 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55C15TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
BZD27C82P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82P RVG 0,2450
RFQ
ECAD 7394 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 62 82 200 ОМ
SFF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1004GH 0,5318
RFQ
ECAD 5796 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1004 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFF1004GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 975 MV @ 5 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
6A05G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G A0G -
RFQ
ECAD 8960 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru 6A05 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 6 a 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
MBR4050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4050PTHC0G -
RFQ
ECAD 6401 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR4050 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 40a 1 мая @ 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBR3090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090PTHC0G -
RFQ
ECAD 9610 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR3090 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 30A 500 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С.
1PGSMA200Z Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA200Z 0,1086
RFQ
ECAD 5379 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma200 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 152 200 1500 ОМ
1PGSMA180ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA180ZHR3G 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma180 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 136,8 180 1200 ОМ
1PGSMA200Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA200Z R3G 0,4500
RFQ
ECAD 130 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma200 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 152 200 1500 ОМ
TS10K60 Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60 1.4500
RFQ
ECAD 500 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBL TS10K60 Станода TS4K СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе