SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
TSS0340L-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS0340L-F0 RWG -
RFQ
ECAD 9253 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) ШOTKIй 1005 - 1801-TSS0340L-F0RWG Управо 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 370 мВ @ 1ma 1 мка 40, -40 ° C ~ 125 ° C. 30 май 1,5pf @ 1V, 1 мг
ES2FA Taiwan Semiconductor Corporation ES2FA 0,1179
RFQ
ECAD 4019 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Es2f Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 2 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгест
TSZL52C3V3 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V3 RWG -
RFQ
ECAD 4073 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) TSL52 200 м 1005 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 25 мка @ 1 В 3.3 В 95 ОМ
1SMA4755 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4755 0,0935
RFQ
ECAD 7523 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4755 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1 мка @ 32,7 43 В. 70 ОМ
S3G Taiwan Semiconductor Corporation S3G 0,1516
RFQ
ECAD 7414 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S3G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,5 мкс 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
SS110H Taiwan Semiconductor Corporation SS110H 0,3900
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS110 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 500 мВ @ 1 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
UDZS11B Taiwan Semiconductor Corporation Udzs11b 0,0354
RFQ
ECAD 4153 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F UDZS11 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-udzs11btr Ear99 8541.10.0050 10000 90 Na @ 8 V 11 20 ОМ
1N4764A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4764a b0g -
RFQ
ECAD 3806 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4764 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мка прри 76 100 350 ОМ
SSL32 M6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 M6 -
RFQ
ECAD 7109 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SSL32M6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 410 мВ @ 3 a 200 мк @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
TSF30L100C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C 1.1298
RFQ
ECAD 2237 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF30 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 15A 800 м. @ 15 A 250 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMA5931 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5931 R3G -
RFQ
ECAD 2282 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5931 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 13,7 18 12
1N4744A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744A R1G -
RFQ
ECAD 1637 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4744 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 15 14 ОМ
UG2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation UG2JA R3G -
RFQ
ECAD 5320 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA UG2J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 2 a 55 м 2 мка При 600 В -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгест
SR303HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR303HR0G -
RFQ
ECAD 3466 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR303 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
S1DB Taiwan Semiconductor Corporation S1DB 0,0991
RFQ
ECAD 8149 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S1d Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
HER1608G Taiwan Semiconductor Corporation HER1608G 0,6177
RFQ
ECAD 5480 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 HER1608 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 16A 1,7 - @ 8 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1N4755AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AHB0G -
RFQ
ECAD 1001 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4755 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мка @ 32,7 43 В. 70 ОМ
MUR8L60HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR8L60HC0G -
RFQ
ECAD 9289 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MUR8L60 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1.3 V @ 8 a 65 м 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
BZD27C7V5PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHR3G 0,1089
RFQ
ECAD 6577 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 3 В 7,45 В. 2 О
BZT52B20-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B20-G RHG 0,0461
RFQ
ECAD 7331 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52b 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 14 v 20 55 ОМ
SS320LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS320LWH 0,4300
RFQ
ECAD 20 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS320 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BZD27C33PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33PHR3G -
RFQ
ECAD 6702 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 24 33 В 15 О
BZT52B5V6 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6 RHG 0,2700
RFQ
ECAD 2026 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 900 NA @ 2 V 5,6 В. 40 ОМ
MBRF790HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF790HC0G -
RFQ
ECAD 7256 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF790 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 920 мв 7,5 а 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 7,5а -
TSZU52C2V2 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V2 RGG 0,0669
RFQ
ECAD 1671 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 мка @ 1 В 2,2 В. 100 ОМ
SF61G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G -
RFQ
ECAD 4033 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SF61GTR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 6 A 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 100pf @ 4V, 1 мгха
S3A R7 Taiwan Semiconductor Corporation S3A R7 -
RFQ
ECAD 5339 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S3AR7TR Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZY55C9V1 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c9v1 ryg -
RFQ
ECAD 9022 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 6,8 9.1. 10 ОМ
MUR340S R7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340S R7G -
RFQ
ECAD 2736 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR340 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SS110LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHM2G -
RFQ
ECAD 8733 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS110 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 мВ @ 1 a 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе