SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZX55C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C51 0,0305
RFQ
 ECAD 2254 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C51TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 38 51 125 ОМ
S1GLH Taiwan Semiconductor Corporation S1GLH 0,0705
RFQ
 ECAD 9695 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-219AB S1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
HS5A M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5A M6 -
RFQ
 ECAD 6480 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5AM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 5 A 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
PUUP4BH Taiwan Semiconductor Corporation Puup4bh 0,8700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 930 мВ @ 4 a 25 млн 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 71pf @ 4V, 1 мгха
BZX84C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C5V1 0,0511
RFQ
 ECAD 3551 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX84C5V1TR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 2 мка @ 2 В 5,1 В. 60 ОМ
BZY55C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C13 0,0350
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c13tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 10 V 13 26 ОМ
SS15LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS15lhrvg -
RFQ
 ECAD 7544 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZX585B8V2 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B8V2 RKG -
RFQ
 ECAD 3978 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B8 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 630 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
BZV55B27 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B27 L1G -
RFQ
 ECAD 2099 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 100 na @ 20 v 27 80 ОМ
TSF2080C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF2080C C0G -
RFQ
 ECAD 1924 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Прохл TSF2080 - 1801-TSF2080CC0G 1
SS115LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS115LWH 0,0696
RFQ
 ECAD 1041 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS115 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS115LWHTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZT52C2V7K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7K 0,0474
RFQ
 ECAD 4836 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C2V7KTR Ear99 8541.10.0050 6000 120 мк -перо 1 2,7 В. 100 ОМ
SS14LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS14lhrvg -
RFQ
 ECAD 6828 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS14 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
BZV55C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V3 0,0333
RFQ
 ECAD 2399 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55C3V3TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3.3 В 85 ОМ
RS1KAL Taiwan Semiconductor Corporation RS1Kal 0,4800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds RS1K Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -2068-RS1Kalct Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
1SMB5935HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5935HR5G -
RFQ
 ECAD 7959 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5935 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 20,6 27 23 ОМ
BZV55B4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B4V7 0,0504
RFQ
 ECAD 5861 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B4V7TR Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 500 NA @ 1 V 4,7 В. 60 ОМ
BZX585B20 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B20 RSG 0,0476
RFQ
 ECAD 6348 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 45 Na @ 14 V 20 55 ОМ
MBR15150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR15150CTH 0,8740
RFQ
 ECAD 5519 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR15150 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR15150CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 15A 1,05 Е @ 7,5 А 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C130PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHRFG -
RFQ
 ECAD 9903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
ES1LJHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1ljhr3g -
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Es1l Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 18pf @ 4V, 1 мгха
UGF12JDHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF12JDHC0G -
RFQ
 ECAD 9598 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 UGF12 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 3.1 V @ 12 A 45 м 500 NA @ 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 12A -
1N4752AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4752ahb0g -
RFQ
 ECAD 8455 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4752 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк. 33 В 45 ОМ
MBRS20150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20150CT-Y 0,6433
RFQ
 ECAD 1792 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS20150 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS20150CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 990mw @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMB5927HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5927HR5G -
RFQ
 ECAD 8089 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5927 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка, 9,1 12 6,5 ОМ
RS3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3B R7G 0,4400
RFQ
 ECAD 350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.3 V @ 3 a 150 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
MBR3060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3060PTHC0G -
RFQ
 ECAD 2984 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR3060 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 30A 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C43P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P RUGE 0,2753
RFQ
 ECAD 6777 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 33 43 В. 45 ОМ
TSZU52C3V3 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V3 RGG 0,0669
RFQ
 ECAD 6593 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 25 мка @ 1 В 3.3 В 95 ОМ
FR206G Taiwan Semiconductor Corporation FR206G 0,0981
RFQ
 ECAD 5057 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR206 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 2 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть