SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип На На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZD27C100PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHMTG -
RFQ
 ECAD 8615 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 75 100 200 ОМ
MBR1645 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645 C0G -
RFQ
 ECAD 7353 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MBR1645 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 500 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
BZT52C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 0,0412
RFQ
 ECAD 1283 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C2V4TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
HS5A R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS5A R7 -
RFQ
 ECAD 7032 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5AR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 5 A 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
ES2DAL Taiwan Semiconductor Corporation Es2dal 0,4200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Es2d Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -2068-ES2Dalct Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 2 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 18pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C18P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P RVG 0,3900
RFQ
 ECAD 612 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 17,95 В. 15 О
HDBL104G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL104G 0,3999
RFQ
 ECAD 2950 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HDBL104 Станода DBL СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1,3 V @ 1 a 5 мка 400 1 а ОДИНАНАНА 400
SS23LH Taiwan Semiconductor Corporation SS23LH 0,3210
RFQ
 ECAD 5782 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SS23 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS23LHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
SRF20100H Taiwan Semiconductor Corporation SRF20100H 0,7135
RFQ
 ECAD 4646 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF20100 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRF20100H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 20 часов 920 мВ @ 10 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZT52C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C62 0,0453
RFQ
 ECAD 2633 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C62TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 43,4 62 215
US1M Taiwan Semiconductor Corporation US1M 0,0757
RFQ
 ECAD 5386 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA US1M Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ4V7SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ4V7SB R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 7967 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj4 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 5 мка @ 1 В 4,68 80 ОМ
BZX79C5V6 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C5V6 A0G -
RFQ
 ECAD 2649 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 1 мка @ 2 5,6 В. 40 ОМ
1PGSMB5928 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5928 R5G -
RFQ
 ECAD 3044 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5928 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4,9 13 7 О
ES3GH Taiwan Semiconductor Corporation Es3gh 0,2298
RFQ
 ECAD 8992 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
KBL605G Taiwan Semiconductor Corporation KBL605G 1.2576
RFQ
 ECAD 5860 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBL KBL605 Станода KBL СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1.1 V @ 6 a 10 мк. 6 а ОДИНАНАНА 600
1SMA4759H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4759H 0,1004
RFQ
 ECAD 4332 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4759 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1 мка @ 47,1 62 125 ОМ
TPAU3D Taiwan Semiconductor Corporation TPAU3D 0,2937
RFQ
 ECAD 5953 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPAU3 Лавина TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TPAU3DTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,88 В @ 3 a 65 м 400 NA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
PU3JC Taiwan Semiconductor Corporation PU3JC 0,1893
RFQ
 ECAD 8504 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC PU3J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Pu3jctr Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 25 млн 2 мка При 600 В -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 31pf @ 4V, 1 мгновение
BZT52B2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7 0,0412
RFQ
 ECAD 1573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B2V7TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 18 мка @ 1 В 2,7 В. 100 ОМ
1N4933G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4933g -
RFQ
 ECAD 9046 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1N4933GTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SF67G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF67G B0G -
RFQ
 ECAD 7881 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF67 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 6 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 50pf @ 4V, 1 мгест
HS5G R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS5G R7 -
RFQ
 ECAD 1016 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS5GR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 5 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
1SMB5933HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5933HR5G -
RFQ
 ECAD 6948 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5933 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4,7 22 17,5 О
BZX79B24 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B24 0,0308
RFQ
 ECAD 7093 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79B24TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 16,8 мая @ 50 м. 24 70 ОМ
BZD27C18PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PHRFG -
RFQ
 ECAD 1424 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 17,95 В. 15 О
S1BLH Taiwan Semiconductor Corporation S1blh 0,0705
RFQ
 ECAD 8287 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S1BLHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZX79B68 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B68 0,0375
RFQ
 ECAD 6344 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79B68TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 47,6 мая @ 50 м. 68 В 240 ОМ
MBRF2545CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2545CTH 1.0053
RFQ
 ECAD 2027 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF2545 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRF2545CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 25 а 750 м. @ 25 A 2 мая @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C8V2PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHRVG -
RFQ
 ECAD 1491 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 8,2 В. 2 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть