SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
RS3G M6 Taiwan Semiconductor Corporation RS3G M6 -
RFQ
 ECAD 4541 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-RS3GM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 150 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SS23LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS23lhrtg -
RFQ
 ECAD 6774 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS23 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
TPMR6J Taiwan Semiconductor Corporation TPMR6J 0,2799
RFQ
 ECAD 9394 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPMR6 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TPMR6JTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,8 В @ 6 a 40 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C51P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51P MQG -
RFQ
 ECAD 8610 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 39 51 60 ОМ
SS15L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L RUG 0,1965
RFQ
 ECAD 9511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
TSUP8M60SH Taiwan Semiconductor Corporation TSUP8M60SH 0,5328
RFQ
 ECAD 4072 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tsup8 ШOTKIй SMPC4.6U СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tsup8m60shtr Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 640 мВ @ 8 a 600 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 8. 547pf @ 4V, 1 мгновение
BZX84C12 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C12 RFG 0,0511
RFQ
 ECAD 2445 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
SS22LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS22lhrhg -
RFQ
 ECAD 2103 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
S12MC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7 -
RFQ
 ECAD 7925 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S12MCR7TR Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 12 A 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
SR1203HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1203HA0G -
RFQ
 ECAD 2898 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR1203 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 12 A 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
SS26L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L MQG -
RFQ
 ECAD 7362 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS26 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
S8KC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S8KC R7 -
RFQ
 ECAD 9915 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S8Kcr7tr Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
ES1JAL Taiwan Semiconductor Corporation Es1jal 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Es1j Станода ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MMSZ5254B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5254B RHG 0,0433
RFQ
 ECAD 8449 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5254 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 21 V 27 41 О
HS1DF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS1DF-T 0,1037
RFQ
 ECAD 7241 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1DF-TTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 19pf @ 4V, 1 мгха
BZT52C13K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13K RKG 0,0474
RFQ
 ECAD 8813 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 10 V 13 30 ОМ
SR105 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 R0G -
RFQ
 ECAD 9132 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR105 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SS29LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS29lhrtg -
RFQ
 ECAD 9908 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS29 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
1N4761AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4761ahb0g -
RFQ
 ECAD 5503 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4761 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мка @ 56 75 175
MTZJ51S Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj51s 0,0305
RFQ
 ECAD 1477 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ51 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Mtzj51str Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 39 V 51 110 ОМ
1PGSMC5363 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5363 R6G -
RFQ
 ECAD 7906 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5363R6GTR Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 22,8 30 8 О
ESH3B R7 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B R7 -
RFQ
 ECAD 2622 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ESH3BR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 900 мВ @ 3 a 20 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 RHG 0,0453
RFQ
 ECAD 4551 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 47,6 68 В 240 ОМ
FR152G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152G A0G -
RFQ
 ECAD 2259 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR152 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
SR1640H Taiwan Semiconductor Corporation SR1640H 0,5794
RFQ
 ECAD 7260 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR1640 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SR1640H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 16A 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
MBS2HRCG Taiwan Semiconductor Corporation MBS2HRCG -
RFQ
 ECAD 5721 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-besop (0,173 », ширина 4,40 мм) MBS2 Станода Мбс СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 1 V @ 400 мая 5 мка При 200 500 май ОДИНАНАНА 200
SFT13G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT13G R0G -
RFQ
 ECAD 9938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT13 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
UF4001 A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4001 A0G -
RFQ
 ECAD 8197 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4001 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SS210LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS210LHM2G -
RFQ
 ECAD 5806 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS210 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
HS3J M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3J M6 -
RFQ
 ECAD 7259 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3JM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть