SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SS320ALH Taiwan Semiconductor Corporation SS320ALH 0,1338
RFQ
 ECAD 5249 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SS320 ШOTKIй ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS320ALHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 54pf @ 4V, 1 мгест
BZS55C33 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C33 0,0340
RFQ
 ECAD 1547 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZS55C33TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 24 33 В 80 ОМ
RS3K R6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3K R6G -
RFQ
 ECAD 5063 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-RS3KR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 3 a 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SS1H15LW Taiwan Semiconductor Corporation SS1H15LW 0,1011
RFQ
 ECAD 2234 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS1H15 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS1H15LWTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 850 мВ @ 1 a 500 NA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
BZD27C200PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200FRUG -
RFQ
 ECAD 2816 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 150 200 750 ОМ
ESH2DA Taiwan Semiconductor Corporation Esh2da 0,1650
RFQ
 ECAD 2309 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ESH2 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 1 a 25 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 25pf @ 4V, 1 мгха
SF2006GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2006GHC0G -
RFQ
 ECAD 7768 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2006 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
F1T2GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t2gha0g -
RFQ
 ECAD 6573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос F1T2 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SRA2020HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2020HC0G -
RFQ
 ECAD 5436 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SRA2020 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 20 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 20 часов -
BZT52C2V7-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7-G 0,0445
RFQ
 ECAD 5205 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C2V7-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 20 мка @ 1 В 2,7 В. 100 ОМ
BZD17C33P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P RUGE -
RFQ
 ECAD 7814 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 24 33 В 15 О
BZT52B47-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B47-G 0,0461
RFQ
 ECAD 3276 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 410 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B47-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 35 47 В 100 ОМ
F1T2G A0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T2G A0G -
RFQ
 ECAD 2991 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос F1T2 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZD27C75PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHMHG -
RFQ
 ECAD 3161 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
BZD27C9V1P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1P M2G -
RFQ
 ECAD 8899 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6,07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мк -при 5в 9.05 V. 4 О
BZD27C15PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHMTG -
RFQ
 ECAD 2271 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 11 В 14,7 В. 10 ОМ
SK520C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK520C R6 -
RFQ
 ECAD 8454 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK520CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SRS10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRS10100 0,6690
RFQ
 ECAD 7947 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS10100 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRS10100TR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 900 мВ @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
TSZL52C4V7-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C4V7-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 8704 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) 200 м 1005 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TSZL52C4V7-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 2 4,7 В. 78 ОМ
BZS55B9V1 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B9V1 RAG -
RFQ
 ECAD 8867 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-BZS55B9V1RAGTR Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 6,8 9.1. 10 ОМ
MBR3045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR3045CT-Y 0,6949
RFQ
 ECAD 7946 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR3045 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR3045CT-y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 30A 820 мВ @ 30 a 200 мк @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
S1MLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation S1Mlhrhg -
RFQ
 ECAD 8534 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SR510 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR510 A0G 0,9000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR510 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZX55C5V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C5V1 A0G -
RFQ
 ECAD 9616 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 100 Na @ 1 V 5,1 В. 35 ОМ
1N5820H Taiwan Semiconductor Corporation 1n5820h 0,1903
RFQ
 ECAD 4321 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5820 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 475 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
1SMA4761HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4761HR3G -
RFQ
 ECAD 7825 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4761 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 56 75 175
SF2L6G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L6G B0G -
RFQ
 ECAD 3860 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF2L6 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
1PGSMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4745HR3G 0,4800
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4745 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 12,2 16 16 ОМ
BZD27C27PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHR3G -
RFQ
 ECAD 5442 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
2M19Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M19Z 0,1565
RFQ
 ECAD 6193 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M19 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 14,4 19 v 11 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть