SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
HS1B M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1B M2G -
RFQ
ECAD 3395 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA HS1B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
SK55B Taiwan Semiconductor Corporation SK55B -
RFQ
ECAD 5523 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK55btr Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
FR105G Taiwan Semiconductor Corporation FR105G 0,0577
RFQ
ECAD 4620 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй FR105 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBRF20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20200CT-Y 1.0200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF20200 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBRF20200CT-Y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 850 м. @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
SF1605GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1605GHC0G -
RFQ
ECAD 8141 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1605 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 60pf @ 4V, 1 мгест
SS210 Taiwan Semiconductor Corporation SS210 0,0990
RFQ
ECAD 7412 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS210 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZV55C2V7 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V7 L1G -
RFQ
ECAD 4394 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 10 мка @ 1 В 2,7 В. 85 ОМ
ES3H M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3H M6G -
RFQ
ECAD 6191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3HM6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 3 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
S5M Taiwan Semiconductor Corporation S5M 0,1724
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S5M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
UGF12J Taiwan Semiconductor Corporation UGF12J -
RFQ
ECAD 2246 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UGF12J Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 12 A 20 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 12A -
SF37GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF37GHB0G -
RFQ
ECAD 4193 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF37 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 3 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
RSFMLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrqg -
RFQ
ECAD 4324 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SR103 Taiwan Semiconductor Corporation SR103 -
RFQ
ECAD 6645 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR103TR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
1T6GH Taiwan Semiconductor Corporation 1t6gh 0,0571
RFQ
ECAD 5676 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос 1t6g Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1T6GHTR Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 1 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
RS1KLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1klwhrvg 0,0934
RFQ
ECAD 6861 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W RS1K Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 250 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
HS3A V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A V7G 1.0200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3A Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
SF2002GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2002GHC0G -
RFQ
ECAD 5044 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2002 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 975 MV @ 10 A 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
RS3J M6 Taiwan Semiconductor Corporation RS3J M6 -
RFQ
ECAD 2646 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-RS3JM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1.3 V @ 3 a 250 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1N4148 A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148 A0G 0,1900
RFQ
ECAD 34 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4148 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° С ~ 150 ° С. 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
BZD27C180P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P 0,2888
RFQ
ECAD 5561 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD27C180PTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 130 179,5. 450 ОМ
SS22L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RHG -
RFQ
ECAD 4359 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SRS1640 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1640 0,7722
RFQ
ECAD 9861 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1640 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRS1640TR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 16A 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
HS1BFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1BFL 0,4500
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F HS1B Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 11pf @ 4V, 1 мгха
SS14L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS14L MHG -
RFQ
ECAD 3068 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS14 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
BZD27C20PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20PHMTG -
RFQ
ECAD 2929 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 15. 20 15 О
PU8JC Taiwan Semiconductor Corporation PU8JC 0,2643
RFQ
ECAD 4371 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC PU8J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Pu8jctr Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 8 A 25 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 58pf @ 4V, 1 мгест
SS25LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS25LHRQG -
RFQ
ECAD 2720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS25 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
2M150Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M150Z 0,1565
RFQ
ECAD 3656 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M150 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 114 V 150 575 ОМ
ES2AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Es2ahr5g -
RFQ
ECAD 7281 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB Es2a Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
SF1006GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1006GHC0G -
RFQ
ECAD 6071 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1006 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 5 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 50pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе