SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MTZJ7V5SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ7V5SB 0,0305
RFQ
ECAD 3534 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj7 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ7V5SBTR Ear99 8541.10.0050 10000 500 NA @ 4 V 7,5 В. 20 ОМ
SRS2090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2090HMNG -
RFQ
ECAD 6595 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS2090 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 20 часов 920 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
AZ23C3V3 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V3 RFG 0,0794
RFQ
ECAD 8982 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 3.3в 95 ОМ
SSL32H Taiwan Semiconductor Corporation SSL32H 0,3351
RFQ
ECAD 4743 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 410 мВ @ 3 a 200 мк @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SRA2050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2050HC0G -
RFQ
ECAD 5667 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Активна Чereз dыru ДО-220-2 SRA2050 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 м. @ 20 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
BZT52B11S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B11S RRG -
RFQ
ECAD 1278 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 90 Na @ 8 V 11 20 ОМ
PU2DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU2DLWH 0,5000
RFQ
ECAD 17 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SOD-123W Станода SOD-123W - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 930 мВ @ 2 a 25 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 33pf @ 4V, 1 мгест
RSFALHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalhrhg -
RFQ
ECAD 4649 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-219AB RSFAL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SR1050 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1050 C0G -
RFQ
ECAD 6967 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Активна Чereз dыru 220-3 SR1050 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
SK39BH Taiwan Semiconductor Corporation SK39BH -
RFQ
ECAD 6882 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK39BHTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S10JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JC V7G 0,8100
RFQ
ECAD 99 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC S10J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 10 A 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
1N4762AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4762ahb0g -
RFQ
ECAD 1826 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА ПРЕКРЕВО ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4762 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк. 82 200 ОМ
BZD27C30PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PHR3G -
RFQ
ECAD 6469 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна ± 6,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 22 30 15 О
ES2FH Taiwan Semiconductor Corporation Es2fh 0,1470
RFQ
ECAD 8453 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-214AA, SMB Es2f Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 2 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
BZT52B33-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B33-G RHG 0,0461
RFQ
ECAD 8967 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52b 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 23,1 33 В 80 ОМ
BZX85C18 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C18 R0G 0,0645
RFQ
ECAD 7634 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 10 мая 500 NA @ 13 V 18 20 ОМ
MBRS2050CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2050CTHMNG -
RFQ
ECAD 9990 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS2050 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 20 часов 950 мВ @ 20 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C6V8P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P MQG -
RFQ
ECAD 5922 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
BZT52C39-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C39-G RHG 0,0445
RFQ
ECAD 3453 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 27,3 39 130 ОМ
MBR6035PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR6035PT -
RFQ
ECAD 1042 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Активна Чereз dыru 247-3 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBR6035PT Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 35 60a (DC) 820 мВ @ 60 a 1 май @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С.
HER303G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER303G B0G -
RFQ
ECAD 3701 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Активна Чereз dыru Do-201ad, Osevoй HER303 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
MBR16150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16150HC0G -
RFQ
ECAD 5266 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru ДО-220-2 MBR16150 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 16 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
SFAF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1606GHC0G -
RFQ
ECAD 1315 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru 220-2 SFAF1606 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 16 A 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 100pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C150P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RTG -
RFQ
ECAD 1905 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 110 147 В 300 ОМ
SR515HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR515HB0G -
RFQ
ECAD 7622 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Активна Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR515 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
TSOD1F1HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F1HM RVG -
RFQ
ECAD 8598 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SOD-123F Tsod1 Станода SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 4pf @ 4V, 1 мгест
ES1DLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhm2g -
RFQ
ECAD 6630 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-219AB Es1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
S1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1bl rhg -
RFQ
ECAD 8515 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N5400GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400GHB0G -
RFQ
ECAD 8612 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Активна Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1N5400 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 3 a 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгест
SFAS808GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS808GH -
RFQ
ECAD 1539 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS808 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 60pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе