SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела СИЛА - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SS310L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS310L Mtg -
RFQ
ECAD 6668 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS310 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
HER208GH Taiwan Semiconductor Corporation HER208GH 0,1329
RFQ
ECAD 2811 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HER208GHTR Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
BZV55B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B8V2 0,0357
RFQ
ECAD 2209 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B8V2TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 6,2 8,2 В. 7 О
1SMA5939H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5939H 0,0995
RFQ
ECAD 4436 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5939 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 29,7 39 45 ОМ
SR006 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR006 A0G 0,0919
RFQ
ECAD 2844 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR006 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 м. @ 500 мая 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C47PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHRFG -
RFQ
ECAD 9186 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
HS1JLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1JLH 0,2378
RFQ
ECAD 8071 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1JLHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
AZ23C13 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C13 RFG 0,0786
RFQ
ECAD 8803 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 Na @ 10 V 13 25 ОМ
BZV55B5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B5V6 L0G 0,0357
RFQ
ECAD 2016 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 Na @ 1 V 5,6 В. 25 ОМ
BZD27C91PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHRQG -
RFQ
ECAD 4885 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 68 90,5. 200 ОМ
SRS1060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1060 MNG -
RFQ
ECAD 3589 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1060 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZT52C15-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C15-G 0,0445
RFQ
ECAD 2461 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C15-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 10,5 15 30 ОМ
S2QH Taiwan Semiconductor Corporation S2QH 0,1019
RFQ
ECAD 8227 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S2QHTR Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,15 - @ 2 a 1,5 мкс 1 мка прри 1,2 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 30pf @ 4V, 1 мгест
SS35 Taiwan Semiconductor Corporation SS35 0,2809
RFQ
ECAD 9035 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS35TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
HS5KH Taiwan Semiconductor Corporation HS5KH 0,2928
RFQ
ECAD 7734 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS5KHTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 5 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
FR154G Taiwan Semiconductor Corporation FR154G 0,0795
RFQ
ECAD 5135 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR154 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
S10KC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S10KC R6G -
RFQ
ECAD 2544 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S10KCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 10 A 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
ES1G Taiwan Semiconductor Corporation Es1g 0,0932
RFQ
ECAD 6934 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Es1g Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 18pf @ 1V, 1 мгха
HER602G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER602G R0G -
RFQ
ECAD 6354 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru R-6, osevoй HER602 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 6 A 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 80pf @ 4V, 1 мгха
TSF20L100C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20L100C 1,9000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF20 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 860 мВ @ 10 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
RS1KLSH Taiwan Semiconductor Corporation RS1Klsh 0,0666
RFQ
ECAD 1519 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H RS1K Станода SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-rs1klshtr Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 - @ 1,2 а 300 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1.2a -
TSF30H100C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H100C 1.3038
RFQ
ECAD 6370 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF30 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 15A 820 м. @ 15 A 150 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
2A04GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A04GH 0,0760
RFQ
ECAD 2422 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A04 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 2 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
SF41G Taiwan Semiconductor Corporation SF41G -
RFQ
ECAD 4577 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF41 Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SF41GTR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 4 A 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 100pf @ 4V, 1 мгха
ES3G M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3G M6G -
RFQ
ECAD 8121 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Es3g Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
1N5404G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404G 0,1309
RFQ
ECAD 9752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5404 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 3 a 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
SF3003PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3003PT C0G -
RFQ
ECAD 2491 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF3003 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 15 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 30A 175pf @ 4V, 1 мгха
SF2002PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2002PT C0G -
RFQ
ECAD 2744 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF2002 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.1 V @ 20 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 175pf @ 4V, 1 мгха
SF47GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF47GHR0G -
RFQ
ECAD 5373 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF47 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 4 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 80pf @ 4V, 1 мгха
S5A R7 Taiwan Semiconductor Corporation S5A R7 -
RFQ
ECAD 9044 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S5AR7TR Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе