SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
AZ23C13 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C13 0,0786
RFQ
 ECAD 3833 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-AZ23C13TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 Na @ 10 V 13 25 ОМ
MUR440 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440 B0G -
RFQ
 ECAD 3934 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MUR440 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,28 w @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
SK54C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK54C M6G -
RFQ
 ECAD 2830 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC SK54 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SR209HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR209HB0G -
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SR209 ШOTKIй DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZD27C68P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P R3G -
RFQ
 ECAD 5756 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 51в 68 В 80 ОМ
RS1KLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation RS1Klhrug -
RFQ
 ECAD 4753 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 - @ 800 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
MUR4L20 A0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L20 A0G -
RFQ
 ECAD 9994 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Mur4l20 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 890 мВ @ 4 a 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
1N4751G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751G R0G 0,0627
RFQ
 ECAD 5269 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4751 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк -пр. 22,8 30 40 ОМ
1PGSMB5934HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5934HR5G -
RFQ
 ECAD 4689 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5934 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка При 18,2 24 19 om
FR152GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152GHA0G -
RFQ
 ECAD 6676 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR152 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 Е @ 1,5 А. 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
SRF10150H Taiwan Semiconductor Corporation SRF10150H 0,7277
RFQ
 ECAD 3417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF10150 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRF10150H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 10 часов 1 V @ 5 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
GPAS1004 MNG Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1004 Mng -
RFQ
 ECAD 8739 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB GPAS1004 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 10 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 50pf @ 4V, 1 мгест
SR803 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR803 B0G -
RFQ
 ECAD 8650 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR803 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
BZD27C68PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c68frug -
RFQ
 ECAD 4764 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 51в 68 В 80 ОМ
MUR440S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S M6G -
RFQ
 ECAD 1073 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC MUR440 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
ES1CL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RHG -
RFQ
 ECAD 3261 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1c Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 1V, 1 мгха
BZD27C130P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P M2G -
RFQ
 ECAD 7102 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
SF15GH Taiwan Semiconductor Corporation SF15GH 0,1031
RFQ
 ECAD 9993 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF15 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SK82CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK82CHM6G -
RFQ
 ECAD 1609 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC SK82 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
MBRF760 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF760 C0G -
RFQ
 ECAD 8291 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru 220-2 MBRF760 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мв 7,5 а 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 7,5а -
RB751V-40WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation RB751V-40WS RRG 0,2900
RFQ
 ECAD 163 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F RB751 ШOTKIй SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C. 30 май 2pf @ 1V, 1 мгест
1M130Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M130Z A0G -
RFQ
 ECAD 4228 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m130 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 98,8 130 700 ОМ
MUR190 Taiwan Semiconductor Corporation MUR190 0,1366
RFQ
 ECAD 9984 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй MUR190 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 900 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
TSD30H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD30H120CW 1.3992
RFQ
 ECAD 7696 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB TSD30 TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800
SRAF16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF16100 C0G -
RFQ
 ECAD 5083 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru 220-2 SRAF16100 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 920 мВ @ 16 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
HS1KFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1KFSH 0,0741
RFQ
 ECAD 6003 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1KFSHTR Ear99 8541.10.0080 28 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
ESH3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D M6G -
RFQ
 ECAD 9662 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC ESH3 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 20 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
HS3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A V6G -
RFQ
 ECAD 8995 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC HS3A Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
2M110Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M110Z A0G -
RFQ
 ECAD 9226 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M110 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 83,6 110 250 ОМ
MBR1635 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1635 C0G -
RFQ
 ECAD 3367 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru ДО-220-2 MBR1635 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 630 мВ @ 16 a 500 мкр 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть