SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
AZ23C51 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C51 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 4295 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 38 51 100 ОМ
B0530W RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0530W RHG 0,0878
RFQ
 ECAD 5016 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 B0530 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 430 мВ @ 500 130 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 170pf @ 0v, 1 мгест
BYG23M R3G Taiwan Semiconductor Corporation BYG23M R3G -
RFQ
 ECAD 7112 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Byg23 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1,5 а 65 м 1 мка @ 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
BZD17C120P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RVG 0,3540
RFQ
 ECAD 8910 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 91в 120 300 ОМ
SFT11GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT11GHR0G -
RFQ
 ECAD 3366 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT11 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
F1T3GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T3GHA1G -
RFQ
 ECAD 3732 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос F1T3 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
S5J M6G Taiwan Semiconductor Corporation S5J M6G -
RFQ
 ECAD 7114 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S5J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
1SMA4757 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4757 R3G -
RFQ
 ECAD 8447 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4757 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 38,8 51 95 ОМ
SFT15G A1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT15G A1G -
RFQ
 ECAD 6168 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT15 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
ES2AAH Taiwan Semiconductor Corporation Es2aah 0,1886
RFQ
 ECAD 3964 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES2AAHTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
RS1K Taiwan Semiconductor Corporation RS1K 0,0639
RFQ
 ECAD 1048 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA RS1K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SR1640HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1640HC0G -
RFQ
 ECAD 5930 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR1640 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 16A 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
ES3J R6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3J R6G -
RFQ
 ECAD 8749 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3JR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
UG06B A1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06B A1G -
RFQ
 ECAD 3224 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос UG06 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 600 мая 15 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 600 май 9pf @ 4V, 1 мгест
1N4753A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753a R1G -
RFQ
 ECAD 5992 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4753 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 36 50 ОМ
SR803HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR803HR0G -
RFQ
 ECAD 3447 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR803 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
SRF1640HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1640HC0G -
RFQ
 ECAD 8888 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF1640 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 16A 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
SS215LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS215lhrtg -
RFQ
 ECAD 4158 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
UG06A A1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06A A1G -
RFQ
 ECAD 8184 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос UG06 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 600 мая 15 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 600 май 9pf @ 4V, 1 мгест
BZV55B15 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B15 L0G 0,0357
RFQ
 ECAD 1076 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
1N4743A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4743a b0g -
RFQ
 ECAD 5543 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4743 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мка @ 29,7 13 60 ОМ
SRT15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT15 A0G -
RFQ
 ECAD 4860 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SRT15 ШOTKIй TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
RB520G-30 RLG Taiwan Semiconductor Corporation RB520G-30 RLG 0,0587
RFQ
 ECAD 4923 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-723 RB520 ШOTKIй SOD-723 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 450 м. 500 NA @ 10 V 125 ° C (MMAKS) 100 май -
1M120ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1m120zhb0g -
RFQ
 ECAD 4541 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m120 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк -при 91,2 120 550 ОМ
BZD27C16PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHRVG -
RFQ
 ECAD 2258 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 12в 16,2 В. 15 О
1SMB5926 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926 R5G -
RFQ
 ECAD 9256 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5926 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 8,4 11 5,5 ОМ
SK33AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK33AHR3G -
RFQ
 ECAD 4385 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK33 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SF2L4GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L4GHA0G -
RFQ
 ECAD 4474 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF2L4 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 2 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 40pf @ 4V, 1 мгест
RS1ML RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1ML RFG -
RFQ
 ECAD 4790 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1M Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 - @ 800 мая 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
RSFJL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL RHG -
RFQ
 ECAD 2950 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Rsfjl Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 Е @ 500 Ма 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть