SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
MBR16150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16150HC0G -
RFQ
ECAD 5266 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MBR16150 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 16 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
SFAF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1606GHC0G -
RFQ
ECAD 1315 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SFAF1606 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 16 A 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 100pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C150P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RTG -
RFQ
ECAD 1905 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 110 147 В 300 ОМ
BAS40-04 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS40-04 RFG 0,0581
RFQ
ECAD 5770 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 40 200 май 1 V @ 40 май 5 млн 200 na @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C.
SR515HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR515HB0G -
RFQ
ECAD 7622 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR515 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
MUR440HA0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440HA0G -
RFQ
ECAD 4565 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MUR440 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,28 w @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
TSOD1F1HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F1HM RVG -
RFQ
ECAD 8598 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F Tsod1 Станода SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 4pf @ 4V, 1 мгест
ES1DLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhm2g -
RFQ
ECAD 6630 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
1SMA4739HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4739HR3G -
RFQ
ECAD 7541 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4739 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 5 мка При 7в 9.1. 5 ОМ
BZD27C16P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P M2G -
RFQ
ECAD 1832 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 12в 16,2 В. 15 О
SR1650 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1650 C0G -
RFQ
ECAD 6038 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR1650 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 16A 700 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
S1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1bl rhg -
RFQ
ECAD 8515 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N5400GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400GHB0G -
RFQ
ECAD 8612 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1N5400 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 3 a 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
SFAS808GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS808GH -
RFQ
ECAD 1539 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS808 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 60pf @ 4V, 1 мгест
1SMB5938 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5938 0,1453
RFQ
ECAD 2273 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5938 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка 4 27,4 36 38 ОМ
1SMC5352 R7 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 R7 -
RFQ
ECAD 2115 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1SMC5352R7TR Ear99 8541.10.0050 850 1 мка рри 11,5 15 2,5 ОМ
HER205G Taiwan Semiconductor Corporation HER205G 0,1247
RFQ
ECAD 5392 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER205 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 35pf @ 4V, 1 мгест
UF4002 R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4002 R1G -
RFQ
ECAD 3500 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4002 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C130PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PW 0,1092
RFQ
ECAD 6289 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка рри 100 130 300 ОМ
BZD27C200P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P MTG -
RFQ
ECAD 5600 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 150 200 750 ОМ
SRF2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2020 C0G -
RFQ
ECAD 6545 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF2020 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 20 20 часов 550 м. @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C.
TS20P07G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P07G -
RFQ
ECAD 7459 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS20P07 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 20 a 10 мк. 20 а ОДИНАНАНА 1 к
2M30ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m30zha0g -
RFQ
ECAD 4904 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2m30 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 22,8 30 20 ОМ
ES1GLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1glhrtg -
RFQ
ECAD 3496 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1g Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
UF4003 B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4003 B0G -
RFQ
ECAD 7658 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SK510C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK510C V7G 0,9600
RFQ
ECAD 810 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK510 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SF68G Taiwan Semiconductor Corporation SF68G 0,8700
RFQ
ECAD 79 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 6 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 50pf @ 4V, 1 мгест
T10JA05G-K Taiwan Semiconductor Corporation T10JA05G-K 1.1304
RFQ
ECAD 2682 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p T10JA Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-T10JA05G-K Ear99 8541.10.0080 1500 1.1 V @ 10 A 5 мк. 10 а ОДИНАНАНА 600
1N4937GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4937GH 0,0613
RFQ
ECAD 4511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4937 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SRAF16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF16100 C0G -
RFQ
ECAD 5083 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SRAF16100 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 920 мВ @ 16 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе