SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
MUR115S R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR115S R5G -
RFQ
ECAD 8966 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB Mur115 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 875 MV @ 1 A 25 млн 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
BZD17C18P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P RQG -
RFQ
ECAD 1465 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 18 15 О
6A05G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G R0G -
RFQ
ECAD 3236 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru R-6, osevoй 6A05 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 6 a 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
MBRAD1060H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1060H 0,8200
RFQ
ECAD 7764 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRAD1060 ШOTKIй ТИНДПАК - Rohs3 1 (neograniчennnый) 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 800 м. @ 10 A 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 397pf @ 4V, 1 мгновение
HT14G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HT14G A0G -
RFQ
ECAD 8457 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос Ht14 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MUR460S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S V7G -
RFQ
ECAD 9917 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR460 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
SK82CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK82CHM6G -
RFQ
ECAD 1609 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK82 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
SR306HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR306HA0G -
RFQ
ECAD 9175 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR306 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
ES3DV R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV R6 -
RFQ
ECAD 1276 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3DVR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 20 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
S1BL MHG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL MHG -
RFQ
ECAD 6223 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N4933G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933G B0G -
RFQ
ECAD 4909 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4933 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SFF508GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF508GHC0G -
RFQ
ECAD 1922 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF508 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 В @ 2,5 а 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
BZX79B13 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B13 A0G -
RFQ
ECAD 2909 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 8 май @ 100 м. 13 30 ОМ
RSFKL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFKL RTG -
RFQ
ECAD 6594 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFKL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
S3GB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3GB R5G -
RFQ
ECAD 1971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S3G Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMB5933HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5933hr5g 0,6300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1pgsmb5933 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4,7 22 17,5 О
BZX55B2V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V7 A0G -
RFQ
ECAD 9981 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 10 мка @ 1 В 2,7 В. 85 ОМ
SS26LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS26lhrvg 0,1143
RFQ
ECAD 4848 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS26 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MBR2045PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045PT C0G -
RFQ
ECAD 1773 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR2045 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 20 часов 840 мВ @ 20 a 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
SS320 R7G Taiwan Semiconductor Corporation SS320 R7G -
RFQ
ECAD 1292 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS320 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S1JFS Taiwan Semiconductor Corporation S1JFS 0,0525
RFQ
ECAD 5017 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 S1J Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZS55C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C2V4 0,0340
RFQ
ECAD 2444 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZS55C2V4TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 50 мк @ 1 В 2,4 В. 85 ОМ
SS16LW Taiwan Semiconductor Corporation SS16LW 0,4700
RFQ
ECAD 20 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS16 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
S1JLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation S1Jlhrhg -
RFQ
ECAD 4640 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
MUR310S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S R6 -
RFQ
ECAD 2657 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR310SR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 875 MV @ 3 A 25 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
UG5J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG5J C0G -
RFQ
ECAD 2398 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 UG5J Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 3 V @ 5 A 20 млн 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
UG06DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06DHA0G -
RFQ
ECAD 5048 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос UG06 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 600 мая 15 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 600 май 9pf @ 4V, 1 мгест
SR1640HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1640HC0G -
RFQ
ECAD 5930 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR1640 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 16A 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C.
B0530W RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0530W RHG 0,0878
RFQ
ECAD 5016 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 B0530 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 430 мВ @ 500 130 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 170pf @ 0v, 1 мгест
SS210 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SS210 R5G -
RFQ
ECAD 3890 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SS210 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе