SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
HS1AL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL MQG -
RFQ
 ECAD 6876 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
6A05G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G A0G -
RFQ
 ECAD 8960 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru 6A05 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 6 a 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
SRF2060H Taiwan Semiconductor Corporation SRF2060H -
RFQ
 ECAD 7982 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF2060 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 700 мВ @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C.
LL4001G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4001G L0 -
RFQ
 ECAD 7248 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF LL4001 Станода Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LL4001GL0 Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZT52C3V3S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3S RRG -
RFQ
 ECAD 9768 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 4,5 мк -при 1 3.3в 95 ОМ
MBR4050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4050PTHC0G -
RFQ
 ECAD 6401 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR4050 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 40a 1 мая @ 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
S1GF-T Taiwan Semiconductor Corporation S1GF-T 0,0890
RFQ
 ECAD 2506 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S1GF-TTR Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
MBR3090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090PTHC0G -
RFQ
 ECAD 9610 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR3090 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 30A 500 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С.
ES1DLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhrug 0,2565
RFQ
 ECAD 6321 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
1N5245B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5245b A0G 0,3200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен ± 5% 100 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5245 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -2068-1N5245BA0GCT Ear99 8541.10.0050 5000 1,1 - @ 200 Ма 100 na @ 11 v 15 16 ОМ
AZ23C12 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C12 0,0786
RFQ
 ECAD 5027 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-AZ23C12TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 Na @ 9 V 12 20 ОМ
SF15G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF15G A0G -
RFQ
 ECAD 1437 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF15 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C39PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHRTG -
RFQ
 ECAD 5167 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
MBRF2060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060HC0G -
RFQ
 ECAD 1724 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF2060 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 820 м. @ 20 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
HERF1008G Taiwan Semiconductor Corporation HERF1008G 0,5661
RFQ
 ECAD 6469 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка HERF1008 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 10 часов 1,7 - @ 10 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MMSZ5221B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B 0,0437
RFQ
 ECAD 3248 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5221 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-mmmз5221btr Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 мка @ 1 В 2,4 В. 30 ОМ
SS14LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS14lhrfg -
RFQ
 ECAD 3274 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS14 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
RSFGLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfglhmtg -
RFQ
 ECAD 2859 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFGL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
TPUH6D S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPUH6D S1G 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPUH6 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 6 a 45 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 50pf @ 4V, 1 мгест
SR209 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR209 R0G -
RFQ
 ECAD 9637 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SR209 ШOTKIй DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SF1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1001G C0G -
RFQ
 ECAD 9788 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1001 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 5 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 70pf @ 4V, 1 мгха
MBRS1060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060 MNG -
RFQ
 ECAD 9499 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1060 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 950 мВ @ 10 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
SR1204HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1204HB0G -
RFQ
 ECAD 3581 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR1204 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 12 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
1N4001G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G A0G -
RFQ
 ECAD 1559 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4001 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1 V @ 1 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
S4J V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4J V7G 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S4J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 - @ 4 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 60pf @ 4V, 1 мгест
6A05GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05GHA0G -
RFQ
 ECAD 9832 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй 6A05 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 6 a 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
TSZU52C4V7 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C4V7 RGG 0,0669
RFQ
 ECAD 9705 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 2 4,7 В. 78 ОМ
BZX584B6V8 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B6V8 RKG -
RFQ
 ECAD 7737 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 2 мка @ 4 В 6,8 В. 15 О
1N4757A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757a R1G -
RFQ
 ECAD 3174 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4757 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 38,8 51 95 ОМ
MBRAD15150DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD15150DH 0,9400
RFQ
 ECAD 1121 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRAD15150 ШOTKIй ТИНДПАК - Rohs3 1 (neograniчennnый) 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 15A 950 мв 7,5 а 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть