SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
1SMA5945HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5945HR3G -
RFQ
ECAD 5327 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5945 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 51,7 68 В 120 ОМ
BZV55C6V8 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C6V8 L0G 0,0333
RFQ
ECAD 1982 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
BZT55C3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V0 L1G -
RFQ
ECAD 8467 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 4 мка @ 1 В 3 В 85 ОМ
1N4745AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745AHB0G -
RFQ
ECAD 8736 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4745 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк. 16 22 ОМ
SRA16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA16100 C0G -
RFQ
ECAD 2774 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 SRA16100 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 920 мВ @ 16 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
BZD27C220PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHMTG -
RFQ
ECAD 8401 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 160 220,5. 900 ОМ
1N4758G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758G R0G 0,0627
RFQ
ECAD 2235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4758 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 42,6 56 110 ОМ
ES2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2DA R3G 0,7200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Es2d Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
SR115HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR115HB0G -
RFQ
ECAD 8096 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR115 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
S8KCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S8KCHM6G -
RFQ
ECAD 3141 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S8KC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
MBR3035PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035PTHC0G -
RFQ
ECAD 7072 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR3035 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 35 30A 820 мВ @ 30 a 1 май @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С.
MUR4L60 B0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur4l60 b0g -
RFQ
ECAD 8700 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Mur4l60 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,28 w @ 4 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
HS1G Taiwan Semiconductor Corporation HS1G 0,4500
RFQ
ECAD 10 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA HS1G Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZT52C11K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C11K RKG 0,0474
RFQ
ECAD 1131 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 8 v 11 20 ОМ
1N4005GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GH 0,0522
RFQ
ECAD 2928 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4005 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 1 A 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SRAF530HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF530HC0G -
RFQ
ECAD 1806 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SRAF530 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 5A -
1N4734G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4734G A0G -
RFQ
ECAD 8914 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4734 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 2 5,6 В. 5 ОМ
MUR440 Taiwan Semiconductor Corporation MUR440 0,2886
RFQ
ECAD 4267 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MUR440 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,28 w @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
MBRS1690HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1690HMNG -
RFQ
ECAD 1872 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1690 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 16 a 300 мк -при 90 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
1N5818H Taiwan Semiconductor Corporation 1N5818H 0,0727
RFQ
ECAD 8753 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5818 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 55pf @ 4V, 1 мгха
MBRS1060CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060CTHMNG -
RFQ
ECAD 3120 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1060 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 900 мВ @ 10 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRF2545CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2545CTHC0G -
RFQ
ECAD 9573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF2545 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 25 а 820 м. @ 12,5 А 2 мая @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
SF32GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32GHA0G -
RFQ
ECAD 4976 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF32 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C82PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHM2G -
RFQ
ECAD 5577 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 62 82 200 ОМ
1N5397GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5397gha0g -
RFQ
ECAD 3855 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5397 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1В @ 1,5 а 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
RSFBLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfblhrug -
RFQ
ECAD 5118 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFBL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
HER151G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER151G B0G -
RFQ
ECAD 1152 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER151 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1В @ 1,5 а 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 35pf @ 4V, 1 мгест
S3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation S3B M6G -
RFQ
ECAD 2237 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
BZV55B43 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B43 0,0357
RFQ
ECAD 4632 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B43TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 32 43 В. 90 ОМ
SS215LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS215LHR3G -
RFQ
ECAD 9795 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе