SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
FR106G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR106G B0G -
RFQ
ECAD 9558 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй FR106 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
UG58G Taiwan Semiconductor Corporation UG58G 0,2361
RFQ
ECAD 7432 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UG58 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 5 a 20 млн 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
MUR305S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S V7G -
RFQ
ECAD 5863 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR305 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 25 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
TST30L45C Taiwan Semiconductor Corporation TST30L45C 2.6300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 670 мВ @ 30 a 650 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
HS3F R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3F R6 -
RFQ
ECAD 9440 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3FR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
SR1504HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1504HA0G -
RFQ
ECAD 9541 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй SR1504 ШOTKIй R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 15 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 15A -
UG06DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06DHA0G -
RFQ
ECAD 5048 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос UG06 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 600 мая 15 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 600 май 9pf @ 4V, 1 мгест
SR115 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR115 B0G -
RFQ
ECAD 4242 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR115 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZD17C11P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P R3G 0,2625
RFQ
ECAD 1050 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 4 мк 11 7 О
TSN525M60 Taiwan Semiconductor Corporation TSN525M60 -
RFQ
ECAD 4184 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 8-Powerldfn TSN525 Станода 8-pdfn (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 630 м. @ 25 A 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 25 а -
SRAS2050 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2050 MNG -
RFQ
ECAD 8325 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRAS2050 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 м. @ 20 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
HS3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A V6G -
RFQ
ECAD 8995 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3A Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
SK54C R7 Taiwan Semiconductor Corporation SK54C R7 -
RFQ
ECAD 4787 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK54CR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 5 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZD27C220PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHRVG -
RFQ
ECAD 2528 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 160 220,5. 900 ОМ
SRF2030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2030 C0G -
RFQ
ECAD 4162 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF2030 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 30 20 часов 550 м. @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C.
TSF30H45C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H45C 2.1870
RFQ
ECAD 6983 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF30 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 610 мВ @ 15 A 500 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C36PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHMHG -
RFQ
ECAD 9667 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27 36 40 ОМ
SK12H45 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H45 A0G -
RFQ
ECAD 3773 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SK12 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 550 м. @ 12 A 120 мка 45 200 ° C (MMAKS) 12A -
GP1001HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1001HC0G -
RFQ
ECAD 9209 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 GP1001 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 50 10 часов 1.1 V @ 5 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
SR102 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR102 A0G -
RFQ
ECAD 4831 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR102 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
SK15BH Taiwan Semiconductor Corporation SK15BH -
RFQ
ECAD 4978 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK15BHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
S8KCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S8KCHM6G -
RFQ
ECAD 3141 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S8KC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
SK29A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK29A R3G -
RFQ
ECAD 4921 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK29 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SRAF890HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF890HC0G -
RFQ
ECAD 5829 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SRAF890 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 8 a 500 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
ES3DV Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV 0,2139
RFQ
ECAD 8935 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Es3d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 20 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
RS1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1GL R3G 0,4600
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
2A02G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A02G B0G -
RFQ
ECAD 4749 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A02 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 2 A 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
SRAF1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1660 -
RFQ
ECAD 7552 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Sraf1660 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
MBRF5100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5100 C0G -
RFQ
ECAD 9148 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF5100 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 900 мВ @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
S1MLWH Taiwan Semiconductor Corporation S1MLWH 0,3900
RFQ
ECAD 47 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W S1ML Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе