SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
US1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1D R3G 0,5700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA US1D Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1T4G A1G Taiwan Semiconductor Corporation 1T4G A1G -
RFQ
ECAD 3617 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос 1t4g Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 1 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MBRS2590CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2590CT MNG -
RFQ
ECAD 5754 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS2590 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 25 а 920 м. @ 25 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BAS21A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21A RFG 0,0523
RFQ
ECAD 6351 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 250 200 май 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° С.
1N4748AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4748aha0g -
RFQ
ECAD 2003 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4748 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мк. 22 23 ОМ
SR2090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2090PT C0G -
RFQ
ECAD 5951 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SR2090 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 20 часов 920 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
2M130Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M130Z A0G -
RFQ
ECAD 8128 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M130 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 98,8 130 400 ОМ
RSFMLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrhg -
RFQ
ECAD 5511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
SK82C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK82C M6G -
RFQ
ECAD 2681 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK82 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
S3DBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3DBHR5G -
RFQ
ECAD 7819 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S3d Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
SFAF1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1001GHC0G -
RFQ
ECAD 3727 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF1001 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 10 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 170pf @ 4V, 1 мгха
MUR340S R7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340S R7G -
RFQ
ECAD 2736 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR340 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SS12LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHMHG -
RFQ
ECAD 9698 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS12 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 450 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
F1T3G R0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T3G R0G -
RFQ
ECAD 1555 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос F1T3 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1SMB5937HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5937HR5G -
RFQ
ECAD 1708 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5937 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4 25,1 33 В 33 О
MBRF5200HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5200HC0G -
RFQ
ECAD 8232 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF5200 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,02 В @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SR303HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR303HR0G -
RFQ
ECAD 3466 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR303 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SKL13BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SKL13BHR5G -
RFQ
ECAD 4251 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SKL13 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 390 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
MUR360SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur360sh 0,2298
RFQ
ECAD 4126 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
BZD27C56P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P R3G -
RFQ
ECAD 6562 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 43 56 60 ОМ
SS110LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHM2G -
RFQ
ECAD 8733 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS110 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 мВ @ 1 a 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SR220HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR220HA0G -
RFQ
ECAD 4777 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SR220 ШOTKIй DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZD27C180PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHMQG -
RFQ
ECAD 8870 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 130 179,5. 450 ОМ
RS1JLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhrug -
RFQ
ECAD 3163 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 - @ 800 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
MBRF10H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H200CT 0,7206
RFQ
ECAD 3463 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF10 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 970 мВ @ 10 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C.
MUR340SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340SHM6G -
RFQ
ECAD 8253 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR340 Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
BZD17C75P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RVG -
RFQ
ECAD 8764 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 75 100 ОМ
RS1BL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL Mtg -
RFQ
ECAD 7269 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
SS23LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS23lhrtg -
RFQ
ECAD 6774 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS23 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
1SMA5941 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5941 0,0935
RFQ
ECAD 8620 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5941 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 35,8 47 В 67 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе