SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
2M30ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M30ZHB0G -
RFQ
ECAD 2917 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2m30 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 22,8 30 20 ОМ
S1ALHM2G Taiwan Semiconductor Corporation S1ALHM2G -
RFQ
ECAD 1495 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
RS3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3A V6G -
RFQ
ECAD 4918 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3A Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 150 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1PGSMC5369 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5369 M6G -
RFQ
ECAD 6865 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5369M6GTR Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 38,8 51 27 О
1M150Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150Z R1G -
RFQ
ECAD 4756 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m150 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 114 150 1000 ОМ
SS34LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS34LHMQG -
RFQ
ECAD 3447 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS34 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SR203HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR203HB0G -
RFQ
ECAD 1720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SR203 ШOTKIй DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
MBRS1045H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045H 0,5092
RFQ
ECAD 6645 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1045 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS1045HTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 100 мка 45 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
FR155G Taiwan Semiconductor Corporation FR155G 0,0795
RFQ
ECAD 4372 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR155 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 Е @ 1,5 А. 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
MUR190A R1G Taiwan Semiconductor Corporation MUR190A R1G -
RFQ
ECAD 4417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй MUR190 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 900 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZT52B8V2S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2S 0,0340
RFQ
ECAD 3317 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B8V2STR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 630 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
SFF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1008GH 0,5877
RFQ
ECAD 4871 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1008 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFF1008GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 10 часов 1,7 - @ 5 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
S1M-KR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1M-KR3G -
RFQ
ECAD 2538 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1M-K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
BZX84C3V9 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C3V9 RFG 0,0511
RFQ
ECAD 5809 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка @ 1 В 3,9 В. 90 ОМ
TUAU8GH Taiwan Semiconductor Corporation TUAU8GH 0,3108
RFQ
ECAD 5927 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TUAU8 Станода SMPC4.6U СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tuau8ghtr Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 8 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. 80pf @ 4V, 1 мгха
UF1JLW Taiwan Semiconductor Corporation Uf1jlw 0,3800
RFQ
ECAD 21 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W UF1J Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 - @ 1 a 25 млн 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
UG12J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12J C0G -
RFQ
ECAD 2464 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 UG12 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 12 A 20 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 12A -
RS3K V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3K V7G -
RFQ
ECAD 2684 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3K Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 500 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
HS3G-K M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3G-K M6G 0,1229
RFQ
ECAD 2623 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC HS3G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS3G-KM6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 37pf @ 4V, 1 мгест
SF25GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF25GHB0G -
RFQ
ECAD 7341 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF25 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 2 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
TS8P02GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P02GHC2G -
RFQ
ECAD 8393 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS8P02 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 8 A 10 мк -пки 100 8 а ОДИНАНАНА 100
1SMA5945 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5945 R3G -
RFQ
ECAD 8781 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5945 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 51,7 68 В 120 ОМ
S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3M R7G 0,4700
RFQ
ECAD 40 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S3M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1.15 V @ 3 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZY55C11 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c11 0,0350
RFQ
ECAD 5373 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55c11tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 8,2 11 20 ОМ
UGF1006GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1006GA 0,4786
RFQ
ECAD 2077 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF1006 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-UGF1006GA Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 400 10 часов 1,25 - @ 5 a 20 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C.
MBRF5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150H -
RFQ
ECAD 6639 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBRF5150H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,02 В @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
TUAS8K Taiwan Semiconductor Corporation TUAS8K 0,6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tuas8 Станода SMPC4.6U - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 8 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 54pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C39P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P RUGE 0,2753
RFQ
ECAD 4521 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
KBU605G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU605G T0G -
RFQ
ECAD 7926 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBU605GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 мк. 6 а ОДИНАНАНА 600
1N5391G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G -
RFQ
ECAD 8523 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода DO-204AC (DO-15) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1n5391gtr Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,1 В @ 1,5 А. 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе