SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж DOSTISHATH Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
HS2MAF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS2MAF-T 0,1207
RFQ
ECAD 2136 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS2MAF-TTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SF14G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF14G R1G -
RFQ
ECAD 7650 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF14 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
ES1ALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1alhrtg -
RFQ
ECAD 3341 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1a Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SS35 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS35 R6G -
RFQ
ECAD 7658 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS35R6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
ES1LD R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1LD R3G -
RFQ
ECAD 4544 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Es1l Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
SK84C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK84C M6G -
RFQ
ECAD 8894 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK84 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
SR302 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR302 R0G -
RFQ
ECAD 7614 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR302 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
MBR16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16100 C0G -
RFQ
ECAD 6583 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MBR1610 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 16 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
KBP305G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP305G C2 -
RFQ
ECAD 1720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBP Станода KBP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1.1 V @ 3 a 10 мк. 3 а ОДИНАНАНА 600
SK83C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK83C M6G -
RFQ
ECAD 2082 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK83 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
MMSZ5239B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5239B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 1927 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5239 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 3 мка При 7в 9.1. 10 ОМ
HS5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5J R7G 0,5800
RFQ
ECAD 20 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS5J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 5 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
TSSE3H60H Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H60H 0,2760
RFQ
ECAD 3215 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H TSSE3 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSSE3H60HTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 600 мВ @ 3 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
MBRF20H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20H200CT 0,7462
RFQ
ECAD 9744 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF20 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 970 мВ @ 20 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C.
BZD17C12P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P Mtg -
RFQ
ECAD 2966 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 3 мк -при 9,1 12 7 О
1SMA4750HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4750HR3G -
RFQ
ECAD 2303 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4750 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 20,6 27 35 ОМ
1N4734G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4734G R0G 0,0627
RFQ
ECAD 8574 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4734 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 2 5,6 В. 5 ОМ
MUR320S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR320S V7G -
RFQ
ECAD 9666 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR320 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 875 MV @ 3 A 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
MBRF25100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF25100CT-Y 0,7462
RFQ
ECAD 9309 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF25100 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRF25100CT-Y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 25 а 850 м. @ 25 A 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
MMSZ5262B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5262B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 7467 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5262 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 39 v 51 125 ОМ
KBU602G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU602G T0G -
RFQ
ECAD 3350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBU602GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 мк -4 100 6 а ОДИНАНАНА 100
BZD17C15P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C15P MQG -
RFQ
ECAD 2293 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 11 В 15 10 ОМ
SS215L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L Rtg -
RFQ
ECAD 9134 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SR106HR1G Taiwan Semiconductor Corporation SR106HR1G -
RFQ
ECAD 3530 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR106 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZY55C6V8 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c6v8 ryg 0,0350
RFQ
ECAD 4959 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
SF805GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF805GHC0G -
RFQ
ECAD 8422 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF805 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 50pf @ 4V, 1 мгест
1N5822H Taiwan Semiconductor Corporation 1N5822H 0,1903
RFQ
ECAD 1337 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5822 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
TSSE3U45 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45 RVG 0,7500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H TSSE3 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 470 мВ @ 3 a 1 май @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S8MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8MC R7G -
RFQ
ECAD 5517 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S8MC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 985 MV @ 8 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 48pf @ 4V, 1 мгха
FR156G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR156G B0G -
RFQ
ECAD 4755 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR156 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 Е @ 1,5 А. 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе