SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
1N5408GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5408gha0g -
RFQ
ECAD 1735 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5408 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 3 a 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
DBL101G Taiwan Semiconductor Corporation DBL101G -
RFQ
ECAD 7880 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Станода DBL - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-DBL101G Ear99 8541.10.0080 5000 1.1 V @ 1 a 2 мка При 50 В 1 а ОДИНАНАНА 50
SS36L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L MHG -
RFQ
ECAD 2944 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS36 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
TSZU52C3V0 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V0 RGG 0,0669
RFQ
ECAD 2701 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 50 мк @ 1 В 3 В 95 ОМ
BZD17C220P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P RTG -
RFQ
ECAD 4559 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 160 220 900 ОМ
SRA1630 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1630 C0G -
RFQ
ECAD 3106 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SRA1630 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 16 A 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 16A -
MUR420H Taiwan Semiconductor Corporation Mur420h 0,3072
RFQ
ECAD 7133 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Mur420 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 890 мВ @ 4 a 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
TPMR10DH Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10DH 0,4740
RFQ
ECAD 5191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPMR10 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TPMR10DHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 10 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 140pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMA4741HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4741HR3G -
RFQ
ECAD 1824 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4741 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 8,4 11 8 О
TST30U60CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30U60CW -
RFQ
ECAD 1358 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 TST30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 580 мВ @ 15 A 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
TUAS8K Taiwan Semiconductor Corporation TUAS8K 0,6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tuas8 Станода SMPC4.6U - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 8 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 54pf @ 4V, 1 мгест
FR155G Taiwan Semiconductor Corporation FR155G 0,0795
RFQ
ECAD 4372 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR155 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 Е @ 1,5 А. 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
MUR190A R1G Taiwan Semiconductor Corporation MUR190A R1G -
RFQ
ECAD 4417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй MUR190 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 900 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1SMA5945 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5945 R3G -
RFQ
ECAD 8781 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5945 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 51,7 68 В 120 ОМ
UF1JLW Taiwan Semiconductor Corporation Uf1jlw 0,3800
RFQ
ECAD 21 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W UF1J Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 - @ 1 a 25 млн 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
TS8P02GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P02GHC2G -
RFQ
ECAD 8393 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS8P02 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 8 A 10 мк -пки 100 8 а ОДИНАНАНА 100
GP1601HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1601HC0G -
RFQ
ECAD 6727 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 GP1601 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 50 16A 1.1 V @ 8 A 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C39PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHMHG -
RFQ
ECAD 6005 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
S3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S3M R7G 0,4700
RFQ
ECAD 40 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S3M Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1.15 V @ 3 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZT52B8V2S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2S 0,0340
RFQ
ECAD 3317 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B8V2STR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 630 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
HS3G-K M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3G-K M6G 0,1229
RFQ
ECAD 2623 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC HS3G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS3G-KM6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 37pf @ 4V, 1 мгест
S1M-KR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1M-KR3G -
RFQ
ECAD 2538 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1M-K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
KBU605G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU605G T0G -
RFQ
ECAD 7926 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH KBU605GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 a 5 мк. 6 а ОДИНАНАНА 600
UG12J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12J C0G -
RFQ
ECAD 2464 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 UG12 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 12 A 20 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 12A -
SFF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1008GH 0,5877
RFQ
ECAD 4871 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1008 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SFF1008GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 10 часов 1,7 - @ 5 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
SR804 Taiwan Semiconductor Corporation SR804 0,2347
RFQ
ECAD 4383 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR804 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 8 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
MBRF1590CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1590CT C0G -
RFQ
ECAD 1259 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF1590 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 15A 920 мв 7,5 а 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1N5391G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G -
RFQ
ECAD 8523 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода DO-204AC (DO-15) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1n5391gtr Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,1 В @ 1,5 А. 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
SF25GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF25GHB0G -
RFQ
ECAD 7341 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF25 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 2 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
SF1608GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1608GH 0,7215
RFQ
ECAD 5300 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1608 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SF1608GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 16A 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе