SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
UF1BH Taiwan Semiconductor Corporation UF1BH -
RFQ
 ECAD 3730 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UF1BHTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C180P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P RUG -
RFQ
 ECAD 5477 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 130 179,5. 450 ОМ
BZV55C10 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C10 L0G 0,0333
RFQ
 ECAD 8124 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 na @ 7,5 10 15 О
BZD27C22P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22P RFG -
RFQ
 ECAD 6931 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 16 22,05 В. 15 О
MBR30L120CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L120CTHC0G -
RFQ
 ECAD 5441 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 120 30A 950 мВ @ 30 a 20 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C6V8PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PHR3G 0,1089
RFQ
 ECAD 9635 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
FR107G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR107G B0G -
RFQ
 ECAD 1163 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй FR107 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SFAF507G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF507G C0G -
RFQ
 ECAD 4549 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF507 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 70pf @ 4V, 1 мгха
MUR160 A0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160 A0G -
RFQ
 ECAD 3829 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй MUR160 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 1 a 50 млн 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 27pf @ 4V, 1 мгха
BZT52C10 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10 RHG 0,2600
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 180 Na @ 7 V 10 20 ОМ
SS34 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS34 R7 -
RFQ
 ECAD 5705 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS34R7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
RS1MLH Taiwan Semiconductor Corporation RS1MLH 0,1680
RFQ
 ECAD 2286 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-rs1mlhtr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 - @ 800 мая 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
HS2KFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS2KFSH 0,0786
RFQ
 ECAD 6995 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS2KFSHTR Ear99 8541.10.0080 28 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 2 a 75 м 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 12pf @ 4V, 1 мгновение
1SMB5956H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956H 0,1545
RFQ
 ECAD 2985 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка При 152 200 1200 ОМ
MUR440SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur440sh 0,2675
RFQ
 ECAD 3669 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
DBL107G Taiwan Semiconductor Corporation DBL107G 0,2250
RFQ
 ECAD 1366 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Станода DBL - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 1.1 V @ 1 a 2 мка рри 1000 1 а ОДИНАНАНА 1 к
BZD17C62P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P RTG -
RFQ
 ECAD 6790 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 47 62 80 ОМ
GBPC2504W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504W 3.1925
RFQ
 ECAD 4458 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ GBPC25 Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, GBPC-W GBPC2504 Станода GBPC-W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-GBPC2504W Ear99 8541.10.0080 200 1,1 В @ 12,5 А 5 мка 400 25 а ОДИНАНАНА 400
MMSZ5221B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B RHG 0,0437
RFQ
 ECAD 1165 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5221 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 мка @ 1 В 2,4 В. 30 ОМ
1PGSMC5359 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5359 V7G -
RFQ
 ECAD 2561 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5359V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 18,2 24 4 О
SS36L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L RUG 0,3675
RFQ
 ECAD 3219 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS36 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S1Q Taiwan Semiconductor Corporation S1Q 0,4600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1Q Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 1 a 1 мка При 1200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1SMA4763HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4763HR3G -
RFQ
 ECAD 5553 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4763 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка рри 69,2 91 250 ОМ
BZX55C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C16 A0G -
RFQ
 ECAD 6572 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 100 na @ 12 v 16 40 ОМ
SF33GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33GHA0G -
RFQ
 ECAD 9530 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF33 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
SS22LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHRQG -
RFQ
 ECAD 7667 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZT52C27 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27 0,0412
RFQ
 ECAD 5402 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C27TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 18,9 27 80 ОМ
GBU803H Taiwan Semiconductor Corporation GBU803H -
RFQ
 ECAD 5519 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP, GBU Станода GBU - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-GBU803H Ear99 8541.10.0080 1000 1.1 V @ 8 A 5 мка При 200 8 а ОДИНАНАНА 200
SS310L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS310L RQG -
RFQ
 ECAD 3713 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS310 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
UGF1005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1005GHC0G -
RFQ
 ECAD 7544 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF1005 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 10 часов 1,25 - @ 5 a 20 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть