SIC
close

Дидж (14739)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
MTZJ27SD Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj27sd 0,0305
RFQ
 ECAD 9125 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj27 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ27SDTR Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 21 V 26.97 V. 45 ОМ
SRA820 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA820 C0G -
RFQ
 ECAD 7744 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SRA820 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
BZX585B2V4 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B2V4 RSG 0,0476
RFQ
 ECAD 3377 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B2 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 8000 45 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
TS10P06GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06GHD2G -
RFQ
 ECAD 7909 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS10P06 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 800 В
BZD27C36PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PW 0,4400
RFQ
 ECAD 405 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 MMA 1 мка 4 27 36 40 ОМ
FR303G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR303G A0G -
RFQ
 ECAD 7201 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй FR303 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
SFAS807G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFAS807G MNG -
RFQ
 ECAD 7236 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS807 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 60pf @ 4V, 1 мгест
SK510C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK510C R6G -
RFQ
 ECAD 9714 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK510CR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
UGF1606G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1606G 0,5920
RFQ
 ECAD 2823 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF1606 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 400 16A 1,25 - @ 8 a 25 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C.
S1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RTG -
RFQ
 ECAD 7417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C43PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PHR3G -
RFQ
 ECAD 3832 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 33 43 В. 45 ОМ
6A20G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20G 1.2700
RFQ
 ECAD 7015 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй Станода R-6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 6 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZX584B11 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B11 RKG -
RFQ
 ECAD 3346 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 11 20 ОМ
1PGSMC5352HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5352HR7G -
RFQ
 ECAD 3197 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка рри 11,5 15 3 О
S12GCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S12GCHR7G -
RFQ
 ECAD 4039 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S12G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 12 A 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
BA159GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation BA159GHR1G -
RFQ
 ECAD 4465 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BA159 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,2 - @ 1 a 250 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
ES1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL RFG -
RFQ
 ECAD 2365 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1g Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 1V, 1 мгест
1N4741G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741G R0G 0,0627
RFQ
 ECAD 1270 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4741 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 11 23 ОМ
MBRS20H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H100CT 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS20 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 20 часов 950 мВ @ 20 a 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C.
SRAS2090 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2090 MNG -
RFQ
 ECAD 5046 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRAS2090 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 920 мВ @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
BZS55B22 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B22 RXG -
RFQ
 ECAD 4632 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 16 v 22 55 ОМ
BZD27C24P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P M2G -
RFQ
 ECAD 6838 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
SR20150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR20150 C0G -
RFQ
 ECAD 8801 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR20150 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 1 V @ 10 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
ES15GLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es15glwhrvg -
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W ES15 Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 21pf @ 4V, 1 мгха
AZ23C7V5 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C7V5 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 5412 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 5 v 7,5 В. 7 О
SK32BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SK32BHM4G -
RFQ
 ECAD 6883 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK32 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 м. @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
6A60G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A60G B0G -
RFQ
 ECAD 4935 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru R-6, osevoй 6A60 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 6 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZS55B2V4 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V4 Rag -
RFQ
 ECAD 2319 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-BZS55B2V4RAGTR Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 50 мк @ 1 В 2,4 В. 85 ОМ
SFF2006GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF2006GH 0,7635
RFQ
 ECAD 2076 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF2006 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 90pf @ 4V, 1 мгха
HS1MH Taiwan Semiconductor Corporation HS1MH 0,0827
RFQ
 ECAD 1696 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1MHTR Ear99 8541.10.0080 15 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть