SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SSL34 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SSL34 V7G -
RFQ
ECAD 6832 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SSL34 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
1PGSMA4758H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4758H 0,1156
RFQ
ECAD 2388 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4758 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 42,6 56 110 ОМ
SF2004G Taiwan Semiconductor Corporation SF2004G 0,7169
RFQ
ECAD 6563 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2004 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 10 A 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD17C100P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P RHG -
RFQ
ECAD 3088 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 75 100 200 ОМ
ES2G Taiwan Semiconductor Corporation Es2g 0,1380
RFQ
ECAD 3731 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Es2g Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
SK810C R7 Taiwan Semiconductor Corporation SK810C R7 -
RFQ
ECAD 6585 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK810CR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 900 мВ @ 8 a 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
2M18ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m18zha0g -
RFQ
ECAD 4151 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M18 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 13,7 18 10 ОМ
BZT55C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C62 0,0343
RFQ
ECAD 5816 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55C62TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 47 V 62 150 ОМ
KBL601G Taiwan Semiconductor Corporation KBL601G -
RFQ
ECAD 3666 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBL Станода KBL - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-KBL601G Ear99 8541.10.0080 1000 1.1 V @ 6 a 10 мк -прри 50 6 а ОДИНАНАНА 50
US1G Taiwan Semiconductor Corporation US1G 0,0853
RFQ
ECAD 2670 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA US1G Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
ES3G Taiwan Semiconductor Corporation Es3g 0,2299
RFQ
ECAD 6012 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Es3g Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
1SMA5929H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5929H 0,0995
RFQ
ECAD 6455 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5929 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 11,4 15 9 О
AZ23C2V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C2V7 RFG 0,0786
RFQ
ECAD 7067 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 2,7 В. 83 О
BZD27C150P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RVG -
RFQ
ECAD 1462 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 110 147 В 300 ОМ
BZT52C11S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C11S 0,0357
RFQ
ECAD 5359 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Bzt52c11str Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 90 Na @ 8 V 11 20 ОМ
S3D Taiwan Semiconductor Corporation S3d 0,1516
RFQ
ECAD 8988 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S3d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
RS1JL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL MHG -
RFQ
ECAD 1050 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 - @ 800 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C62P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62P RHG -
RFQ
ECAD 4335 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 47 62 80 ОМ
HER1606PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1606PT C0G -
RFQ
ECAD 6901 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 HER1606 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 16A 1,7 - @ 8 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C13PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PW 0,4900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 MMA 2 мка При 10в 13 10 ОМ
BZD27C75PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHMQG -
RFQ
ECAD 5547 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
F1T4GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t4gha0g -
RFQ
ECAD 5700 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос F1T4 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
HS1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RQG -
RFQ
ECAD 8971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
S5D Taiwan Semiconductor Corporation S5d 0,2127
RFQ
ECAD 7239 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S5d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
1SMB5951HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5951HR5G -
RFQ
ECAD 8384 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5951 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 91,2 120 360 ОМ
2M130ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M130ZHA0G -
RFQ
ECAD 8503 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M130 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 98,8 130 400 ОМ
BZY55C3V9 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C3V9 RYG 0,0350
RFQ
ECAD 4323 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
1N4758AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758AHB0G -
RFQ
ECAD 7451 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4758 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мка @ 42,6 56 110 ОМ
BZV55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V9 L1G -
RFQ
ECAD 8033 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
BZT52B2V7S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7S RRG -
RFQ
ECAD 4170 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 18 мка @ 1 В 2,7 В. 100 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе