RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дидж (2906)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Скороп	На	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	Emcostath @ vr, f	Дип	Napraheneee - пик в	На	Иппедс (mmaks) (zzt)
1N4473 BK PBFREE	0,3465	RFQ	4115	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй			1,5	DO-41	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2000					50 NA @ 17,6						22	14 ОМ
1N4475 BK PBFREE	0,3465	RFQ	8800	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй			1,5	DO-41	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2000					50 NA @ 21,6						27	18 О
1N4478 BK PBFREE	0,3465	RFQ	9569	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй			1,5	DO-41	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2000					50 NA @ 28,8						36	27 О
1N4617 BK PBFREE	0,2190	RFQ	4656	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			250 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1 V @ 200 MMA		2 мка @ 1 В						2,4 В.	1400 ОМ
1n4617 tr pbfree	0,2190	RFQ	6426	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			250 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1 V @ 200 MMA		2 мка @ 1 В						2,4 В.	1400 ОМ
1N4618 BK PBFREE	0,2190	RFQ	6770	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			250 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1 V @ 200 MMA		1 мка @ 1 В						2,7 В.	1500 ОМ
1N4623 BK PBFREE	0,2190	RFQ	3447	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			250 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1 V @ 200 MMA		4 мка @ 2						4,3 В.	1600 ОМ
1N4625 BK PBFREE	0,4320	RFQ	9856	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			250 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1 V @ 200 MMA		10 мк @ 3 В						5,1 В.	1500 ОМ
1N4626 BK PBFREE	0,2190	RFQ	3374	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			250 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1 V @ 200 MMA		10 мка @ 4						5,6 В.	1400 ОМ
1N4678 BK PBFREE	0,2190	RFQ	2462	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1,5 Е @ 100 мая		7,5 мка При 1в						1,8 В.
1n4678 tr pbfree	0,2190	RFQ	4797	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		7,5 мка При 1в						1,8 В.
1N4680 BK PBFREE	0,2190	RFQ	5587	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1,5 Е @ 100 мая		4 мка @ 1 В						2,2 В.
1N4688 BK PBFREE	0,2190	RFQ	1573	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1,5 Е @ 100 мая		10 мк @ 3 В						4,7 В.
1n4701 tr pbfree	0,2190	RFQ	4351	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		50 NA @ 10,6						14
1n4702 tr pbfree	0,2190	RFQ	1969	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		50 NA @ 11,4						15
1n4703 tr pbfree	0,2190	RFQ	6030	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		50 NA @ 12,1						16
1n4708 tr pbfree	0,2190	RFQ	5725	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		10 Na @ 16,7						22
1n978b tr pbfree	0,0734	RFQ	5261	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 - @ 200 Ма		5 мка @ 38,8						51	125 ОМ
CBR1-010	-	RFQ	5602	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-таракальный, слюй		Станода		Sluчaй	СКАХАТА		Neprigodnnый		CBR1-010 PBFREE	Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 1 A		10 мк -пки 100		1,5 а		ОДИНАНАНА	100
CBR1-040	-	RFQ	1663	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-таракальный, слюй		Станода		Sluчaй	СКАХАТА		Neprigodnnый		CBR1-040 PBFREE	Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 1 A		10 мка 400		1,5 а		ОДИНАНАНА	400
CBR1-100	-	RFQ	3076	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-таракальный, слюй		Станода		Sluчaй	СКАХАТА		Neprigodnnый		CBR1-100 PBFREE	Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 1 A		10 мк.		1,5 а		ОДИНАНАНА	1 к
CBR1-L020M	-	RFQ	5167	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-sip	CBR1-L020	Станода		БМ	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH	CBR1-L020M PBFREE	Ear99	8541.10.0080	35			1 V @ 1 A		10 мк.		1,5 а		ОДИНАНАНА	200
CBR1-L040M	0,5408	RFQ	4140	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-sip	CBR1-L040	Станода		БМ	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH	CBR1-L040M PBFREE	Ear99	8541.10.0080	35			1 V @ 1 A		10 мка 400		1,5 а		ОДИНАНАНА	400
CBR1-L100M	-	RFQ	7195	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-sip	CBR1-L100	Станода		БМ	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH	CBR1-L100M PBFREE	Ear99	8541.10.0080	35			1 V @ 1 A		10 мк.		1,5 а		ОДИНАНАНА	1 к
CDH333 BK	-	RFQ	6640	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо			Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй	CDH333	Станода		DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0070	2500	Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning	125	1,15 Е @ 300 Ма	3 мкс	3 na @ 125	-65 ° C ~ 200 ° C.	200 май	-
CR1F-100 BK	0,0718	RFQ	2329	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен			Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй	CR1F-100	Станода		DO-41	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0080	2000	БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)	1000	1,2 - @ 1 a	500 млн	5 мк -пр. 1000	-65 ° C ~ 175 ° C.	1,5а	-
1n4712 tr pbfree	0,2190	RFQ	8110	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		10 Na @ 21,2						28
1n4713 tr pbfree	0,2190	RFQ	1688	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		10 Na @ 22,8						30
1N4714 BK PBFREE	0,2190	RFQ	5019	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	2500			1,5 Е @ 100 мая		10 Na @ 25 V						33 В
1n4714 tr pbfree	0,2190	RFQ	2716	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	10000			1,5 Е @ 100 мая		10 Na @ 25 V						33 В

2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м²
На складе

Дидж (2906)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 м2

15 000 м²