SIC
close

Диди (3071)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
GBU12B-T Diotec Semiconductor GBU12B-T 1.5875
RFQ
 ECAD 3452 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU12B-T 8541.10.0000 1000 1 V @ 12 A 5 мк -4 100 8,4 а ОДИНАНАНА 100
GBI15M Diotec Semiconductor GBI15M 0,8035
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI15M 8541.10.0000 500 1,1 В @ 7,5 А 5 мк -пр. 1000 3.2 A ОДИНАНАНА 1 к
GBI10J Diotec Semiconductor GBI10J -
RFQ
 ECAD 7278 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI10J 8541.10.0000 500 1.1 V @ 5 A 5 мк. 3 а ОДИНАНАНА 600
GBV15B Diotec Semiconductor GBV15B 0,4580
RFQ
 ECAD 5967 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBV15B 8541.10.0000 1000 1,1 В @ 7,5 А 5 мк -4 100 10,5 а ОДИНАНАНА 100
PT800B Diotec Semiconductor Pt800b 0,5122
RFQ
 ECAD 8557 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-T800B 8541.10.0000 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 8 A 5 мк -4 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 8. -
BYP25K1 Diotec Semiconductor Byp25k1 1.0184
RFQ
 ECAD 5344 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Прет DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BYP25K1TR 8541.10.0000 12 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк -пки 100 -50 ° C ~ 215 ° C. 25 а -
ZY11 Diotec Semiconductor ZY11 0,0986
RFQ
 ECAD 5477 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 2 Вт DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Che11tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 5в 11 4 О
ZY100 Diotec Semiconductor ZY100 0,0986
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 2 Вт DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-ZY100TR 8541.10.0000 5000 1 мка При 50 В 100 60 ОМ
ZPY16 Diotec Semiconductor ZPY16 0,0986
RFQ
 ECAD 4386 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy16tr 8541.10.0000 5000 1 мка рри 10в 16 6 ОМ
SBT1050 Diotec Semiconductor SBT1050 0,5032
RFQ
 ECAD 8296 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SBT1050 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 10 a 300 мк -при 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 10 часов -
B500D Diotec Semiconductor B500D 0,2369
RFQ
 ECAD 285 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 мм) Станода DFM СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-B500D 8541.10.0000 50 1.1 V @ 1 a 5 мк -пр. 1000 1 а ОДИНАНАНА 1 к
GBU12K Diotec Semiconductor GBU12K 1.5875
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU12K 8541.10.0000 1000 1 V @ 12 A 5 мк -400 8,4 а ОДИНАНАНА 800 В
ZPY12 Diotec Semiconductor ZPY12 0,0986
RFQ
 ECAD 2026 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy12tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 7в 12 4 О
KBPC5008FP Diotec Semiconductor KBPC5008FP 3.8260
RFQ
 ECAD 4415 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, KBPC Станода KBPC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC5008FP 8541.10.0000 240 1.1 V @ 25 A 10 мк. 50 а ОДИНАНАНА 800 В
SI-A1125 Diotec Semiconductor SI-A1125 61.3540
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен ШASCI Ты Станода Я СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SI-A1125 8541.10.0000 35 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 3200 В. 3 V @ 5 A 1,5 мкс 5 мка @ 3200 -50 ° C ~ 150 ° C. 6A -
P2500B Diotec Semiconductor P2500B 0,7910
RFQ
 ECAD 8420 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй P2500 Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-p2500btr 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 10 мк -пки 100 -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
FE2A Diotec Semiconductor Fe2a 0,0786
RFQ
 ECAD 4910 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-FE2ATR 8541.10.0000 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 980 мВ @ 2 a 50 млн 2 мка При 50 В -50 ° C ~ 175 ° C. 2A -
B80FD Diotec Semiconductor B80FD 0,3621
RFQ
 ECAD 3260 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 мм) Станода DFM СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-b80fd 8541.10.0000 750 1,3 V @ 1 a 5 мка @ 160 1 а ОДИНАНАНА 160
BY254 Diotec Semiconductor By254 0,0778
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY254TR 8541.10.0000 1700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мк -400 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
ZPY22 Diotec Semiconductor ZPY22 0,0986
RFQ
 ECAD 2539 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy22tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 12в 22 6 ОМ
3EZ39 Diotec Semiconductor 3EZ39 0,0995
RFQ
 ECAD 8169 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 3 Вт Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-3EZ39TR 8541.10.0000 4000 1 мка 4 20 39 20 ОМ
SB160S Diotec Semiconductor SB160S 0,0463
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB160str 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 1 мая @ 60 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
DB25-16 Diotec Semiconductor DB25-16 5.0182
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода Вд СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB25-16 8541.10.0000 50 1,05 Е @ 12,5 А 10 мк @ 1600 25 а Трип 1,6 кв
FT2000AA Diotec Semiconductor FT2000AA 0,8577
RFQ
 ECAD 224 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-FT2000AA 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 960 мВ @ 20 a 200 млн 5 мка прри 50 -50 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
ZPY18 Diotec Semiconductor ZPY18 0,0986
RFQ
 ECAD 2155 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy18tr 8541.10.0000 5000 1 мка рри 10в 18 6 ОМ
ZPY6.2 Diotec Semiconductor ZPY6.2 0,0986
RFQ
 ECAD 3100 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy6.2tr 8541.10.0000 5000 1 мка пр. 1,5 6,2 В. 1 О
GBU6B-T Diotec Semiconductor GBU6B-T 0,3371
RFQ
 ECAD 6198 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU6B-T 8541.10.0000 1000 1 V @ 6 A 5 мк -4 100 4,2 а ОДИНАНАНА 100
B250C3700A Diotec Semiconductor B250C3700A 1.4577
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-B250C3700A 8541.10.0000 500 1 V @ 3 a 5 мк. 2,7 а ОДИНАНАНА 600
B40C3700A Diotec Semiconductor B40C3700A 1.3325
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-B40C3700A 8541.10.0000 500 1 V @ 3 a 5 мка 40, 2,7 а ОДИНАНАНА 80
BY500-200 Diotec Semiconductor By500-200 0,1171
RFQ
 ECAD 1992 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY500-200TR 8541.10.0000 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.3 V @ 5 a 200 млн 5 мка При 200 -50 ° C ~ 175 ° C. 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть