SIC
close

Диди (3071)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SK315SMA Diotec Semiconductor SK315SMA 0,1312
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC, SMA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK315SMATR 8541.10.0000 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 870 мВ @ 3 a 100 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
ZMD51B Diotec Semiconductor Zmd51b 0,1011
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 1 Вт DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmd51btr 8541.10.0000 2500 500 NA @ 34 V 51 70 ОМ
Z1SMA5.6 Diotec Semiconductor Z1SMA5.6 0,0919
RFQ
 ECAD 4877 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Z1SMA5.6TR 8541.10.0000 7500 1 V @ 200 MMA 3 мк 5,6 В. 10 ОМ
Z1SMA51 Diotec Semiconductor Z1SMA51 0,0919
RFQ
 ECAD 6542 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Z1SMA51TR 8541.10.0000 7500 1 V @ 200 MMA 1 мка @ 38 51 70 ОМ
ES2J-AQ Diotec Semiconductor ES2J-AQ 0,1984
RFQ
 ECAD 7222 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-ES2J-AQTR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
ZMC5.1 Diotec Semiconductor ZMC5.1 0,0442
RFQ
 ECAD 615 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA 500 м МИКРЕМЕЛЯ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmc5.1tr 8541.10.0000 2500 100 Na @ 1 V 5,1 В. 35 ОМ
ZMD6.8 Diotec Semiconductor Zmd6.8 0,1260
RFQ
 ECAD 2248 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 1 Вт DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmd6.8tr 8541.10.0000 2500 1 мка @ 2 6,8 В. 4,5 ОМ
BYG23T Diotec Semiconductor Byg23t 0,1336
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Лавина DO-214AC, SMA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-byg23ttr 8541.10.0000 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1300 В. 1,9 - @ 1 a 75 м 5 мка @ 1300 -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
ZPY5.6 Diotec Semiconductor ZPY5.6 0,0986
RFQ
 ECAD 2259 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy5.6tr 8541.10.0000 5000 3 мк 5,6 В. 1 О
P2500A Diotec Semiconductor P2500A 0,7832
RFQ
 ECAD 5746 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй P2500 Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-P2500ATR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
CS40D Diotec Semiconductor CS40D 1.7165
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 мм) ШOTKIй DFM СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-CS40D 8541.10.0000 250 790mw @ 1 a 500 мк. 1 а ОДИНАНАНА 80
KBPC2504I Diotec Semiconductor KBPC2504I 3.2932
RFQ
 ECAD 9664 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, KBPC25 Станода KBPC25 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC2504I 8541.10.0000 240 1,2 - @ 12,5 А 10 мка 400 25 а ОДИНАНАНА 400
GBI25G Diotec Semiconductor GBI25G 0,9312
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI25G 8541.10.0000 500 1,1 В @ 12,5 А 5 мка 400 4,2 а ОДИНАНАНА 400
DB35-02 Diotec Semiconductor DB35-02 4.3940
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода DB-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB35-02 8541.10.0000 50 1,05 - @ 17,5 А 5 мка При 200 35 а Трип 200
ZPY51 Diotec Semiconductor ZPY51 0,0986
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy51tr 8541.10.0000 5000 1 мка 4 24 51 25 ОМ
KBPC2502I Diotec Semiconductor KBPC2502I 3.2932
RFQ
 ECAD 1097 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, KBPC25 Станода KBPC25 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC2502I 8541.10.0000 240 1,2 - @ 12,5 А 10 мк. 25 а ОДИНАНАНА 200
GBI10D Diotec Semiconductor GBI10D 0,6390
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI10D 8541.10.0000 500 1.1 V @ 5 A 5 мка При 200 3 а ОДИНАНАНА 200
B380C7000A Diotec Semiconductor B380C7000A 1.7263
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-B380C7000A 8541.10.0000 500 1 V @ 5 A 5 мк -400 4,8 а ОДИНАНАНА 800 В
KBPC3508FP Diotec Semiconductor KBPC3508FP 2.5794
RFQ
 ECAD 720 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, KBPC35 Станода KBPC35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC3508FP 8541.10.0000 240 1,1 В @ 17,5 а 10 мк. 35 а ОДИНАНАНА 800 В
ZPY68 Diotec Semiconductor ZPY68 0,0986
RFQ
 ECAD 9901 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy68tr 8541.10.0000 5000 1 мка @ 34 68 В 25 ОМ
GBV15K Diotec Semiconductor GBV15K 0,4599
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBV15K 8541.10.0000 1000 1,1 В @ 7,5 А 5 мк -400 10,5 а ОДИНАНАНА 800 В
GBI20A Diotec Semiconductor GBI20A 0,7848
RFQ
 ECAD 5530 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI20A 8541.10.0000 500 1.1 V @ 10 A 5 мка прри 50 3,6 а ОДИНАНАНА 50
BY396 Diotec Semiconductor By396 0,0951
RFQ
 ECAD 6166 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY396TR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,2 V @ 3 a 500 млн 5 мк -4 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
B80C5000A Diotec Semiconductor B80C5000A 1.4577
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-b80c5000a 8541.10.0000 500 1 V @ 5 A 5 мка @ 160 4 а ОДИНАНАНА 160
DB35-06 Diotec Semiconductor DB35-06 4.3940
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода Вд СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB35-06 8541.10.0000 50 1,05 - @ 17,5 А 10 мк. 35 а Трип 600
BY255 Diotec Semiconductor By255 0,0808
RFQ
 ECAD 586 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY255TR 8541.10.0000 1700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1300 В. 1.1 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мка @ 1300 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
P1000A Diotec Semiconductor P1000a 0,4241
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-P1000ATR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,05 В @ 10 a 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
B80C3700A Diotec Semiconductor B80C3700A 1.3425
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-B80C3700A 8541.10.0000 500 1 V @ 3 a 5 мка @ 160 2,7 а ОДИНАНАНА 160
BA159 Diotec Semiconductor BA159 0,0314
RFQ
 ECAD 1111 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй Станода DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BA159TR 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 1 a 300 млн 5 мк -пр. 1000 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
BY299 Diotec Semiconductor By299 0,0881
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY299TR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 3 a 500 млн 5 мк -400 -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть